Image031

Image031



[6]    Cames J. E., Kosonocky W. F.: Charge coupled devices and applications. Solid State Technology, vol. 17, 1974, pp. 67 — 77

[7]    Carr W. N., Mize J. P.: Projektowanie i zastosowanie układów MOS wielkiej skali integracji. Warszawa, WNT 1976

[8]    Esser L. J. M., Collct M. G.: Charge transfer devices. Advances in Solid State Physics, vol. 13, 1973, pp. 337 -i- 358

[9]    Filipkowski A.: Mikroelektroniczne układy scalone. Warszawa, WNT 1966

[10]    Fitchen F. C.: Electronic Integrated Circuits and Systems. Van Nostrand Reinhold Company, 1970

[11]    Góral A.: Przyrządy półprzewodnikowe o transferze ładunkowym. Elektronika z. 3 i 4, 1977

[12]    Garrett L. S.: IntegratedCircuit digital logie families. IEEE Spectrum, October 1970, 46; November 1970, 63; December 1970, 30

[13]    Hnatek E. R.: A usefs handbook of integrated circuits. J. Wiley, 1973

[14]    Kalisz J.: Cyfrowe układy scalone w technice systemowej. Warszawa Wyd. MON 1977

[15]    Katholing G.: Hochintergrierte Schaltungen Technik und Anwendungsgebiete. Siemens. Bauteile Report. 1976, T. 14, No 4

[16]    Keonijan E.: Mikroelektronika. Warszawa, WNT 1967

[17]    Moore G. B.: Micprocessors and Integrated Electronic Technology. Proc. IEEE 1976, vol. 64, nr 6

[18]    Marciniak W.: Przyrządy półprzewodnikowe typu MIS. Warszawa, WNT 1977

[19]    Pieńkos J., Turczyński J.: Zagadnienia wybrane elektrotechnikiCyfrowe układy scalone. Warszawa, Instytut Elektrotechniki 1970

[20]    PN-72/T-01600 Mikroukłady scalone. Nazwy i określenia.

[21]    Przewłocki H.: Układy scalone wielkiej skali integracji. Osiągnięcia — problemy — perspektywy. Warszawa, Wyd. CEMI kwiecień 1977

[22]    Richman P.: Characteristics and Operation of MOS Field-Effect Devices. New York, McGraw-Hill 1967

[23]    Schmid H.: Monolithic Processing elements-overview. EUROMICRO 1977, North--Holland Publishing Company

[24]    Thomber K. K.: Operational limitations of charge transfer devices. Bell Syst. Techn. J., vol. 52, 1973, pp. 1453 -4- 1482

[25]    Verhofstadt P. W. J.: Evaluation of technology options for LSI Processing Elements. Proc. IEEE, vol. 64, pp. 842 -4* 851, June 1976

[26]    BajineB K. A., KapMa3HHCKHfł A. H., KaponeB M. A.: Uucppoeue uuTezpajib-nue cxeMU na MJfTI Tpau3ucTopax, MocKBa, CoBeTCKoe Pajpio 1971


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
29057 spektroskopia049 98 Jako detektory wielokanałowe stosowane są matryce diodowe i detektory CCD
DSC01 (4) Matryca CCD (ang. Charge Coupled Device) -układ wielu elementów światłoczułych, z których
CCD CCD (charge coupled device - urządzenie o sprzężeniu ładunkowym) Pod szklaną taflą jest wózek
image001 8S0 u nu i W rfcCM ś EVERLY IARTONEMILY AND THE STRANG"
image001 But they wero wronę. too. and Lonan was right    <n a woy Hi erarchi es b
image002 New Collected Works byIOBBT A.HEINLEIN and IMbutes to the Grand Master Edifted by Yoji Kond
Granty Europejskie FP5 Research Training NetWork Projectdama nr csDevelopment and Application of Met
The devices and computers connected to Ethernet must have their own addresses to communicate on the
Theoretical and Methodological Problems 19 The ES area is an attractive research and application fie
2009: Third International Conference in Combinatorics, Graph Theory and Applications, 23-27 marzec 2
gjj 4Lithium-ion BatteriesMaterials and Applications Ediłed by Inamuddin. Rajender Boddula, Mohammad
JOURNAL OFRESEARCH AND APPLICATIONS IN AGRICULTURAL ENGINEERING Poznań, 2018, Vol. 63 (3)
JOURNAL OFRESEARCH AND APPLICATIONS IN AGRICULTURAL ENGINEERINGPoznań, 2018, Vol. 63 (4)

więcej podobnych podstron