Image090

około 800 mV, to napięcie na kolektorze tranzystora T2 wyniesie 800 mV+ +U_{CE nas} i tranzystor T2 zacznie przewodzić. Będzie więc zmniejszał się potencjał kolektora tego tranzystora i napięcie na wyjściu bramki (zakres I—II charakterystyki przełączania). Gdy napięcie na rozpatrywanym wejściu osiągnie wartość 1,4 -f- 1,5 V, wówczas napięcie wyjściowe zmniejszy się do około 2 V (zakres II—III charakterystyki). Potencjał bazy tranzystora T2 wyniesie wów-

o    6

czas około 1,4 V, a zatem tranzystory T2 i T4 będą przewodzić. Gdy obydwa tranzystory w stopniu wyjściowym bramki przewodzą, wówczas bramka pobiera bardzo duży prąd — do około 20 mA (rys. 4.5b). W stanie 0 na wyjściu prąd ten ma wartość około 3 mA, natomiast w stanie 1 — około 1 mA.

Jeżeli napięcie U, będzie w dalszym ciągu wzrastać, to napięcie wyjściowe spadnie gwałtownie do napięcia U_{CE nas} tranzystora T4. Tranzystor T2 nasyca się, a tranzystor T3 zostaje zatkany. Bramka podczas przełączenia znajduje się przez pewien czas w stanie aktywnym. Zachowuje się ona wówczas jak wzmacniacz o dużym wzmocnieniu i jeżeli sygnał wejściowy zmienia się wolno, to na wyjściu mogą pojawić się oscylacje o dużej częstotliwości.

Rysunek 4.5c przedstawia rodzinę charakterystyk przełączania dla różnych temperatur pracy T_a, Ze wzrostem temperatury wzrasta napięcie wyjściowe. Wzrost ten jest związany ze zmniejszeniem spadku napięcia na diodzie, znajdującej się w stopniu wyjściowym bramki. Wraz ze zmianą temperatury ulegają zmianie wartości punktów przegięcia charakterystyk. Zmiany te wynoszą 3,5 -r- 4 mV/°C.

Na rysunku 4.6 pokazano wpływ napięcia zasilania U_cc na charakterystyki przełączania bramki.

100