o
Rasystory | |
HO |
ca 2 kU |
R1.R1B |
OWW-IB 0.125 W 1 kQ 11% 435 |
R3, R4 |
2,7 kQ |
R5 |
RMG 0.25 21.5 kfl ±1% |
R11 |
0,462 KU |
R12 |
1 Q |
R13 |
3.16Q |
R14 |
10 U |
R16 |
31Q |
R16 |
100 0 |
R17 |
316 0 |
R21 |
OWW-IB 0.125 W 6.81 kO ±1% 435 |
R22 |
OWW-IB 0.125 W 21.5 kO ±1% 435 |
R23 |
OWW-IB 0,125 W 68.1 kQ ±1% 435 |
R24 |
OWW-IB 0,25 W 215 kQ ±1% 435 |
R2S |
OWW-IB 0,25 W 601 kO i1% 435 |
R26 |
OWW-IB 1 W 7.15 MQ ±1% 436 |
R27 / |
B51266-A9685 FIDO 6,81 MO ±1% 0,1 |
R31 |
RMG-025 64.9kQ±1% |
R32 |
RMG 0,25 64.9 U il% |
Potencjometry | |
PI ., P3 1 kO | |
P30 2.5 kU |
Diody
Dl. D2 AAP2*120 D3.W BAYP 95 A
Bezpieczniki
F1 wkładko bezpiecznikowe aparatowa łyp WTA lp - 0.63.-250 V F F2 wWadka oezpieczn-kowfl aparatowa typ WTA ln - 0.54Aj1250 V F
Ogniwo
łyp R6 1,5 V