20080201042

talu

przedmiotu: Inżynieria Materiałowa

Al

J*pr<

feemu odciętego z monokryształu w procesie produkcji urządzeń P wynosi;    __

b/0,01 + 1,3 mm    ^^00»1000|un d/ 0,001+0.lmm

skompensowany to taki, który: substancje neutralizujące nadmiar domieszek pr/ewodzi prąd elektryczny we wszystkich kierunkach typu n i typu p

usunięto wszelkie nawet śladowe ilości domieszek

nadprzewodzący, będący w stanie nadprzewodnictwa, wykazuje: ą/cedi r s/kta    b/ferromagnetyzm

^ytipiagnelyzm    d/paramagntyzm

materiale charakteryzującym się możliwością nad przewodzenia opór elektryczny dla ^P^du o dużej częstotliwości, w stanie nadprzewodnictwa

równy 0    b/maleje

F (/.mika wraz. zc wzrostem temperatury    d/jest bardzo duży

r 20, Do wytwarzania monokryształów GaAs stosuje się: a/ metodę Czochralskiego b/metodę topienia strefowego c/metodę Fermiego-Diraca (^.modyfikowaną metodę Czochralskiego

21. Materiał nadprzewodzący, będący w stanie nadprzewodnictwa:

(a^posiada przerwę energetyczną pomiędzy pasmem przewodnictwa a walencyjnym b/nic posiada przerwy energetycznej pomiędzy pasmem przewodnictwa a walencyjnym c/posiada tytko pasmo przewodnictwa, a więc nie posiada przerwy energetycznej d/posiada tylko pasmo walencyjne, a więc nie posiada przerwy energetycznej

22. Nanorurki węglowe mogą przewodzić sygnały elektryczne szybciej niż przewody miedziane, przy częstotliwościach:

Qdo 10 GHz    b/ od 10 do 16 GHz