dsc00707no

.Numer albumu.

	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11	12	13 p4 i 15 1
^A
B
|c

B^sadft oceniania: Prawidłowa odpowiedz I phi, błędna odpowiedz O pkt. Pytanie Jest zaliczone wtedy gdy wsys&kpuntay ait. zamroczone za prawidłowo. Test wielokrotnego wyboru I. Do półprzewodników złożonych zaliczamy: a) diament b) węglik krzemu c) fosforek indu jZ. W półprzewodniku typu p występuje duża koncentracja:

HHr w paśmie walencyjnym b) elektronów w paśmie przewodnictwa cjelektronów w paśmie walencyjnym

3.    U’ modelu pasmowym metalu-półprzewodnika wyróżniamy: a) pasmo przewodnictwa b) pasmo walencyjne c) przerwę wzbronioną

4.    Większość podłoży półprzewodników złożonych wywarzana jest metodą: a) Bridgmana a) Czochralskicgo c) MOVPE

5.    Podłoża do wytwarzania przyrządów elektronicznych musza być materiałami: a) izolatorami b) amorficznymi c) monokrystalicznymi

6.    Heteroepitaksja to osadzanie warstwy arsenku galu na podłożu: jjttSj b)SiC c) SiGe

7.    W metodzie MOVPE jako źródła stosuje się: a) wodne roztwory b) związki metaloorganiczne c) gazy

*. Proces dyfuzji typowo prowadzony jest w temperaturze, a) — 1Q0Q'C b) <900'C c)> 13l)0'C

9 W procesie impŁsitagi głębokość wnikania atomów domieszki zależy od: a) dozy b) energii procesu cjpówierzchni podłoża

10.    Przy mokrym trawieniu stosuje się: a) roztwory reagujące z trawionym materiałem b) zjonizowane gazy c) domieszki

11.    Warstwa trawi się izotropowo tj a) równomiernie we wszystkich kierunkach b) z różną szybkością w różnych kierunkach c) równolegle do powierzchni

12.    Techniką CVD można osadzać: a) dielektryki b) metale c) warstwy monokrystaliczne

13.    Technika PVD pozwala bazuje na a) odparowaniu metalu w próżni b) reakcji chemicznej c) jonowym rozpylaniu target

14.    Osadzanie elektrolityczne nie umożliwia wytwarzania: a) nanometrowych warstw dielektrycznych, b) mikrometrowych warstw metali c) warstw półprzewodników

li. Kontakt Schottky'ego do półprzewodnika typu n powstanie jeżeli praca wyjścia z metalu w stosunku do pracy wyjścia z półprzewodnika będzie: aj taka sama b) niniejsza c) większa