Cienkie obszary wycina się z krawędzi obszaru (mostka) łączącego obie dziury, co pokazano na rys. 7c.
Kelly i Nutting zmodyfikowali tę metodę w ten sposób, że w pierwszym etapie prowadzili polerowanie z użyciem elektrod punktowych izolowanych, a następnie prowadzili polerowanie przy użyciu elektrod płaskich.
Metody polerowania elektrolitycznego opisane w punktach b) i c) przebiegają dość wolno (szybkości polerowania rzędu 1 - 5 pm/min.)
Polerowanie chemiczne stosuje się wówczas, jeśli próbka jest dość gruba oraz wtedy, gdy procesy polerowania elektrolitycznego są skomplikowane i występują obiektywne trudności ich przeprowadzenia. W większości przypadków polerowanie chemiczne prowadzi się przy wyższych temperaturach (w zakresie 30°C 1 100°C), ponieważ roztwory chemiczne są w tych temperaturach bardziej aktywne. Jednakże z tego powodu nie możemy w pełni kontrolować procesu polerowania, szczególnie przy przygotowaniu materiałów o niskiej temperaturze topnienia.
W przypadku przygotowania cienkich folii z metali, metoda ta jest stosowana głównie do ścieniania wstępnego próbek. Stosuje się ją szeroko do przygotowania folii z materiałów o słabej przewodności (materiały ceramiczne, półprzewodniki) i spieków ceramicznych.
Polerowanie jonowe polega na umieszczeniu ścienionej próbki w urządzeniu, w którym próbka jest katodą bombardowaną przez strumień dodatnich jonów. Jako źródło jonów stosuje się najczęściej ciężkie gazy szlachetne - argon lub krypton pod ciśnieniem rzędu 10'2 -10-4 Tr.
Urządzenie do bombardowania jonami składa się z kamer jonizacyjnych, w których powstają jony o dużej energii. Jony te zostają przyśpieszone napięciem
10