DSCN1638

DSCN1638



/* h*łst*wjr prettsiw odlewniczych

46


Hi "*~

StitiUm

woda

^Nrthirt T


Rysunek Ul

Wykres zmian energii swobodnej Gibbsa lodu | wody w funkcji temperatury

Warunkiem krzepnięcia odlewu jest obecność wspomnianej wyżej siły napędowej, co jest równoznaczne ciągłemu odprowadzaniu ciepła z układu. Zależnie od warunków* odprowadzania ciepła krystalizacja może przebiegać kierunkowo lub objętościowo. Krystalizacja kierunkowa, zwana także frontalną. strefową czy warstwową, polega na przemieszczaniu ciągłego frontu krystalizacji z jednego punktu do drugiego. W jej wyniku powstają kryształy wydłużone w jednym kierunku, zgodnym z kierunkiem odprowadzania ciepła, zwane kryształami słupkowymi lub kolumnowymi. Podczas krystalizacji objętościową kryształy tworzą się w różnych miejscach kąpieli, budując nieciągły front krystalizacji. W wyniku tego typu krystalizacji kształt kryształów, zwanych rriwftoo»ow)i9u, jest zbliżony do kulistego. Na rysunku 1.32 pokazano przykłady obu typów kryształów wraz z zaznaczeniem kierunków odprowadzania ciepła. Należy zwrócić uwagę, że w przypadku kryształów równo-ostowycb kierunek odprowadzania ciepła jest zgodny z kierunkiem wzrostu kryształów, dla kryształów słupkowych zaś — przeciwny.

•v    Rozkład temperatury i kierunki wzrostu kryształów

|    :    *tl |    I * oraz przepływu depta Q podczas krystalizacji kierunkowej:

'    . ~2. a) kryształy kupkowe typu komórkowego, b) kryształy

ę ^00 r.    dendrytyczne, oraz podczas krystalizacji objętościowej:



c) kryształy równoosiowe; obszar zakropkowany oznacza tT i r* —I formę [13]

(Mfcyfatf


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
DSCN1682 Jj. Krzepnięcie odlewu Jj. Krzepnięcie odlewu Temperaturo, °C Rysunek 1.72 Wykresy zmian ob
DSCN1653 60 I. Podstawy procesów odlewniczych y+grafit (układ równowagi stabilnej)

DSCN1663 70 /. Podstawy procesów odlewniczych proces zasilania przebiegać będzie łatwo, taki zaś rod
DSCN1606 U maW*j /. Podstawy procesów odlewniczych •    wlania roztopionego metalu do
DSCN1608 16 1. Podstawy procesów odlewniczych i wzroście kryształów, które mogą przybierać bardzo ró
DSCN1610 18 i. Podstawy procesów odlewniczych •    na płycie modelowej (tj. modelu pr
DSCN1614 22 /. Podstawy procesów odlewniczych Rymach 1.10. Dwugniazdowa kokila do wykonywania odlewó
DSCN1620 28 I. Podstawy procesów odlewniczych ścianki odlewu i miejsca doprowadzenia metalu do odlew
DSCN1622 30 /. Podstawy procesów odlewniczych towcgo, przekroje zaś wszystkich kanałów układu wlewow
DSCN1623 30 U, Wypełnianie farmy odlewniczej (zalewanie) 31 i w formie muszą tal wypływający w zasad
DSCN1625 32 1.2. Wypełnianie formy odlewniczej (zalewanie) 33 (1.9) 0    w stosunku d
DSCN1626 34 /. Podstawy procesów odlewniczych mają pewne cechy wspólne. Jedną z nich jest stosowanie
DSCN1627 33 1.2. Wyftininnit formy odlewnievj (nalewaniu) gdzie: m, maso odlewu (odlewów) zalewanych
DSCN1628 36 /. Podstawy procesów odlewniczych Wymagane minimalne długości poszczególnych odcinków wl
DSCN1630 wlew /. Podstawy procesów odlewniczych Przykładowe, typowe wartości stosunku przekrojów
DSCN1631 39 1.2. Wypełnianie formy odlewnicze) {zalewanie) Powodują one, że kanały wlewowe kształtuj
DSCN1636 44 /. Podstawy procesów odlewniczych Pizy ochładzaniu ciekłego metalu od temperatury zalewa
DSCN1643 50 ], Podstawy procesów odlewniczych Ze wzoru (1.27) wynika również, że zarodkowanie będą u

więcej podobnych podstron