elektr

'• VV-Wir. \^eG\(Vf\    v-c,

TesT WłeiOfc€OTwe<bO W^koCO . 6fco2 fVNKCo^ V^NNVC(-f

15 ) f«G rwę służyć jaka o potoyde izolatora b«p*tak$>» niertop. materUfei c smattonedy ze zmiennym v*ss> zaton-jna

EGZAMIN’ MATER1AI Y EUEJCTROłHCZNF (II GRUPA)

I ) podział m cfefcbonK/nyth a izolatory 6 OptOizcCMOry

<    m optyczne

2X«h MBE wykonujesto :

a prxl obniżonym ciśnieniem

b ciśnieniem atmosferycznym

c w warunkach U!IV

3)Szero'«: pasmo wzb-onlone ma •

aSi

bSC

<    Gan

•OsBeWitiy'*. o najmniejszej pnenrawosci

B SłlH

bSX>2

CA1203

ji-rt diamentowa stozy eto wytwarzana: a Paink plazmowy b wttw mfcrcfjaowv c gorące ntoV.no

6) wyt«v«zan)o dctektryM 3 utlenienie Mrttt bCVD

c S£M

7) ND nwoAnent śluzy jato a sMad-i* Układów scatonyc

b aktywne przyrządy ctoMrccrcose c potoycie narzędzi

8)    donkeszka akccptcrcwa <to cfomentu a fosfor

b&CK

clnrt

OJwcgBc torernu śluzy rto a wytwarzania Ikctcw UV b podtoza GaN e tranzystorach mocy sO) <to nytw Sr02 cienkich warstw : a UtłCtifenie b?rm

b(M>

C osortfictorontoraj J l) PVD bacuje na a procesie parowania t> plrołŁcic

c nanoszertu topBwydł m«aO

12) cienfc0*YZ>rstwowe ogniwo fotowottahiane na mat: aS

bSC

cCIS

13)    w ogriwacn roto.soęanłcniith antyrelflefcs uzyskuje sto przeć: a ttonło warstwę złota

bTOZ

cSiNH    -

H ) UV Nil n* nsem do kOOC* )»e pyt a rczysty terroopł-. b r czysty totoouto C rczysty PUMA