Laboratorium Elektroniki cz I 6

88

Przedstawione zależności obowiązują dla szpilkowego rozkładu koncentracji domieszek w kanale tranzystora. Zależności dla rozkładu liniowego może otrzymać z równań (4.1) i (4.4), różniczkując je zgodnie z definicją transkonduktancji.

2. Konduktancja wyjściowa g_ds (g^) - jest to konduktancja dynamiczna kanału mierzona pomiędzy drenem a źródłem przy stałej wartości napięcia Ugs, przy zwarciu wejścia dla sygnału zmiennoprądowego AUgs = 0 dl_n AI_n

gj. = ■ -P =-dla U_rę = const, AU_rQ = 0

“ SU AU    ^GS    GS

^0UDS ^auDS

Konduktancja wyjściowa

= G_r

^gs

U„

.Ub

U„

—1

(4.10)

maleje liniowo ze wzrostem napięcia drenu Uds w obrębie zakresu nienasyceni przyjmując teoretycznie wartość równą zeru w obszarze nasycenia. W rzeczywisto przyjmuje ona wartość skończoną, rzędu kilku - kilkunastu nS, co jest efektem skracania długości kanału przy wzroście napięcia drenu Uds- Na charakterystykach wejściowych objawia się to nachyleniem różnym od zera.

3. Konduktancja wejściowa g_d (gn) - jest to dynamiczna konduktancja złącza p-n spolaryzowanego zaporowo, mierzona przy zwartym wyjściu (AUds = 0) dla określonej wartości napięcia U₀s-

dl_r

^Sd=^:

dla U_DS = const, AU

DS

Typowe wartości konduktancji wejściowej mieszczą się w granicach setek MH - pojedynczych GQ.

Za pomocą zdefiniowanych parametrów otrzymuje się elektryczny schemat zastępczy tranzystora typu PN FET, dla zakresu małych częstotliwości (rys. 4.5).

Rys 4.5. Elektryczny schemat zastępczy tranzystora PN FET

₄ 3 Tematy sprawdzające

powered by

Mi siol

1    Wyjaśnić zasadę działania tranzystora polowego PN FET.

2    Wyjaśnić zasadę działania tranzystora MESFET.

3.    przedstawić i omówić model tranzystora PN FET.

4.    Omówić parametry statyczne tranzystora polowego JFET.

5.    przedstawić i omówić charakterystyki statyczne tranzystora PN FET.

6.    Przedstawić i omówić sposób wyznaczania takich parametrów tranzystora PN FET jak: g_m, Ggso. gds. 9d. U_p, bss. Udss-

7.    Przedstawić i omówić sposoby rozkładu koncentracji w kanale oraz ich wpływ na właściwości tranzystora polowego.

8.    Przedstawić i omówić metody charakterystyk statycznych tranzystorów polowych (co najmniej dwie).

9.    Przedstawić i omówić zjawisko przebicia napięciowego w tranzystorze polowym typu PN FET.

10.    Zdefiniować i omówić współczynnik wzmocnienia napięciowego tranzystora polowego typu PN FET.

11.    Dlaczego tranzystor połowy jest nazywany również tranzystorem unipolarnym?

4.4. Aparatura pomiarowa

Do pomiaru charakterystyk statycznych służą uniwersalny tester przyrządów półprzewodnikowych i układów scalonych oraz woltomierze i amperomierze.

4.5. Program ćwiczenia

1- Pomiar napięcia odcięcia U_p. Za napięcie odcięcia przyjąć takie napięcie Ugs. przy którym prąd drenu Id < 100 pA. Pomiar przeprowadzić dla czterech wartości napięcia Uds-