Laboratorium Elektroniki cz I 0

136

6.7. Literatura

1.    J. Cieślak: Półprzewodnikowe elementy optoelektroniczne. MON. Warszawa 199^

2.    A. Świt: Przyrządy półprzewodnikowe. WNT, Warszawa 1968.

3.    A. Smoliński: Optoelektronika światłowodowa. WKŁ, Warszawa 1985.

4.    Encyklopedia techniki. Tom: Elektronika. WNT, Warszawa 1983.

5.    J. Kołodziejski, L. Spiralski, E. Stolarski: Pomiary przyrządów półprzewodniko-wych. WKŁ, Warszawa 1990.

Ćwiczenie 7

WŁASNOŚCI TEMPERATUROWE PÓŁPRZEWODNIKÓW

7.1.    Cel ćwiczenia

Celem ćwiczenia jest zaobserwowanie na drodze odpowiednich pomiarów wpływu temperatury na parametry i charakterystyki podstawowych elementów półprzewodnikowych, a następnie powiązanie uzyskanych wyników z teorią wyjaśniającą wpływ temperatury na działanie tych przyrządów.

7.2.    Wprowadzenie

Elementy wykonane z materiałów półprzewodnikowych są wrażliwe na zmiany temperatury. Wrażliwość ta jest efektem zależności koncentracji swobodnych nośników ładunku od temperatury oraz jej wpływu na przebieg zjawisk transportu tych nośników w materiałach półprzewodnikowych. W efekcie o właściwościach elektrycznych takich elementów decyduje temperatura wewnętrzna układu półprzewodnikowego, która zależy od dwóch decydujących czynników: temperatury otoczenia i mocy elektrycznej wydzielonej w tym elemencie.

⁷-2.1. Koncentracja nośników swobodnych

Koncentracja nośników swobodnych w półprzewodniku samoistnym zależy od P^r°cesu jonizacji termicznej. W wyniku tego procesu generowane są pary elektron-^d2iura, tak więc koncentracje tych nośników są sobie równe (ni = pi). Można je obli-^ z zależności (7.1), która obrazuje wpływ temperatury:

r

powered by

Mi siol

(7.1)