Laboratorium Elektroniki cz I 8

19 Z

10.5.3. Badanie tranzystora BDP 620 (tranzystor krzemowy epilanarny, dużej mocy, małej częstotliwości), dla którego Uceoit»x = 60 V, l_Cmax = 15 A (p_a. rametry graniczne)

Pomiary parametrów hn_ei hi_2e, h_2te, h^e dla dwóch punktów pracy:

Pi[Ucei=25V, l_Ci=25mA] (P = 625 mW)

P₂[U_CE2 = 5 V, l_C2 = 10 mA] (P = 50 mW)

10.6. Tematy do opracowania

1.    Na podstawie zmierzonych wartości w punktach 10.5.2a i 10.5.3 obliczyć parametry r schematu zastępczego tranzystora.

2.    Sporządzić wykresy na podstawie pomiarów wykonanych w punkcie 10.5.2b.

3.    Sformułować uwagi na temat pomiarów i zaobserwowanych ograniczeń oraz na temat uzyskanych wyników i ich dokładności.

4.    Uzasadnić analitycznie uzyskaną odwrotnie proporcjonalną zależność parametru hne od prądu kolektora l_c (a zatem i prądu bazy l_B).

5.    Porównać zmierzone wartości parametrów z wartościami wyznaczonymi w innym ćwiczeniu z charakterystyk statycznych (jeśli mierzono ten sam tranzystor).

10.7. Literatura

1.    Instrukcja obsługi miernika parametrów h tranzystorów typu P-561.

2.    S. Malzacher, A. Błaszkowski: Elektronika. Cz. I. Elementy układów elektronicznych. Skrypt Pol. Sl. nr 951, Gliwice 1981.

3.    K. Badźmirowski, J. Kołodziejski, L. Spiralski, E. Stolarski: Miernictwo elementów półprzewodnikowych i układów scalonych. WKŁ, Warszawa 1984, s. 177-187.

4.    R. Paul: Technika pomiarów tranzystorów. WKŁ, Warszawa 1973, s. 122-125.

5.    E. Stolarski: Miernictwo tranzystorowe. WNT, Warszawa 1972, s. 103-112.

powered by

Mi siol

Ćwiczenie 11

tranzystorowy wzmacniacz rezystancyjny małej

CZĘSTOTLIWOŚCI

11.1. Cel ćwiczenia

Celem ćwiczenia jest praktyczna ilustracja podstawowych własności typowego wzmacniacza zbudowanego przy użyciu tranzystora bipolarnego: wpływu punktu pracy tranzystora i doboru elementów na parametry i charakterystyki wzmacniacza oraz roli ujemnego sprzężenia zwrotnego.

11.2. Wprowadzenie

Wzmacniaczem rezystancyjnym (oporowym) nazywamy wzmacniacz z rezystorem włączonym pomiędzy źródło zasilania a elektrodę wyjściową, którą w przypadku tranzystora bipolarnego jest kolektor. Spoczynkowy punkt pracy tranzystora jest wyznaczony i utrzymywany za pomocą odpowiednich obwodów zasilania i stabilizacji.

11.2.1. Wiadomości podstawowe o wzmacniaczu rezystancyjnym

W układzie wzmacniacza rezystancyjnego tranzystor bipolarny może pracować ^w trzech podstawowych konfiguracjach: ze wspólną bazą (OB), ze wspólnym emiterem (OE) oraz wspólnym kolektorem (OC). Podstawowe parametry wzmacniacza dla tych konfiguracji tranzystora zamieszczono w tablicy 11.1 (patrz także rys. 11.1). Dla ułatwienia analizy zależności przedstawionych w tablicy 11.1 zamieszczono ich graficzną interpretację na rys. 11.2 dla typowego tranzystora bipolarnego (hn_e = 2 k£i, fhze = 8 10'⁴, h₂ie» 200, h_22e «* 35 pS). Na tej podstawie dokonano jakościowej oceny Właściwości poszczególnych układów, uzyskując następujące wnioski: