Laboratorium Elektroniki cz I 3

202

b)

Rys. 11.5 Wzmacniacz rezystancyjny OE ze sprzężeniem emiterowym

Poniżej zestawiono podstawowe parametry takiego wzmacniacza wyposażonego w sprzężenie emiterowe.

Wzmocnienie napięciowe k_ut

Sprzężenie emiterowe powoduje zmniejszanie wzmocnienia napięciowego do wartości danej wzorem:

k„    -1

1 + k„

R_f

1

(11.9)

RclIRo Rcll^R0 ki2ie R_C||Ro ki₂le

W przypadku silnego sprzężenia zwrotnego, tzn. gdy spełniony jest warunek:

R_E»^[(Rcl|Ro)h₂₂e+l] = ^

otrzymujemy w przybliżeniu zależność:

k„f — -

— RnRf

R_e(Rq+Rc) ^re

|R₀=“

(11.10)

Dla wzmacniacza nieobciążonego (R₀ = °°) wzmocnienie napięciowe zależy tylko od stosunku rezystorów kolektorowego i emiterowego. Jak widać, uzyskano w tym przypadku zupełne uniezależnienie się od parametrów tranzystora, a więc też od ich zmian!

Warunek silnego sprzężenia zwrotnego dla typowego tranzystora (patrz p. 11.2.1) oznacza, że rezystor Re » 10 Q, np. 100 £2. co jest łatwe do spełnienia.

Ipowered by

²⁰³    I Mi siół

Wzmocnienie prądowe K,,

Wzmocnienie prądowe Ku wzmacniacza po zamknięciu pętli sprzężenia zwrotnego nie ulega zmianie: Kj, = kt.

Rezystancja wejściowa R„_e,

Oddziaływanie sprzężenia emiterowego objawia się poprzez wzrost wartości rezystancji wejściowej wzmacniacza tyle razy, ile razy obniżyło się wzmocnienie napię

ciowe:

“ ^hlle ^{+ h}21e^RE

1 + ^S.R_F

^h.le ^E

W przypadku silnego sprzężenia zwrotnego drugi człon wyrażenia (11.11) ma decydującą wartość i R_wei« h₂i_eRE.

Rezystancja wyjściowa R^

Sprzężenie emiterowe powoduje wzrost rezystancji wyjściowej wzmacniacza:

^Rwyf

_t , ^h21e^RE 1

^hl Ie ^{+ R}G J

(11.12)

(11.13)

dany w przypadku silnego sprzężenia za pomocą wyrażenia: r - ^hzie ^Re

^{yf h}22e (^RG^+łllle)

W sytuacji gdy rezystor kolektorowy R_c » 0, to faktyczna rezystancja wyjściowa powstaje z równoległego połączenia Rwyf || R_c- W sytuacji silnego sprzężenia zwrotnego Rwyt» R_c i wówczas rezystancja wyjściowa dąży do wartości R_c.

fys 11.6 Tranzystor w układzie OE z impedancją Z_E w obwodzie emitera można zastąpić tranzystorem z rezystancją wejściową powiększoną o impedancję poZ_E(h„, = h„_e + h_2lBZ_E)