Układ podstawowy
Obwód anodowy Obwód I!
Układ rzeczywisty
Schemat zastępczy układu rzeczywistego
H),8pF pojemność sprzężenia zwrotnego
Dostrajana pojemność wejściowa C«e
Rys. 9
Indukcyjności i pojemności o dużej dobroci w obwodach A i B tworzą obwody równolegle o dużej impedancji na zakresie UKF, zaś powiększone wzmocnienie sprz.yja powstawaniu samowzbudzeniu na częstotliwości UKF.
Zagrożenie to usuwa się zmniejszając dobroć obwodów A i B.