rys 3 2
słowo pamięci □ komórka pamięci (jednobitowa)
b)
a)
|
□□□□□□□□ | ||||
|
CS# R/W # |
mmi |
U | ||
|
□□□□□□□□ |
I ILLLI.l. |
u | ||
|
□□□□□□□□ |
Limu, |
u | ||
|
□□□□□□□□ |
Uli u 1 |
u | ||
|
DO A4 A3 A2 A1 AO |
D7 D6 D5 D4 D3 D2 |
D1 DO |
I A1 AO | |
CS#
R/W#
Dane
Adres
Dane
Adres
Rysunek 3.2. Interpretacja organizacji pamięci
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
Image140 Rys. 4.87. Pamięć składająca się z zespołu rejestrów równoległych150
Rys. 7. Dekoder adresów - wersja 2 (z pełnym dekodow anicm adresów) Rys. 8. Dekodowanie pamięci
Rozwój rysunku dziecka (1) © trójwymiarowym. W pierwszej z nich obserwuje się przejście z rys.
rys 2 10(2) Pamięćwideo do wzmacniacza wideo EUCIIii Rejestr przesuwający Rysunek 2.10. Tworzenie ob
rys 2 16 Pamięć wideo Rysunek 2.16. Obsługa pamięci wideo dla kart SYGA2.3.5. Zestawienie własności
rys 4 3 MEM - pamięć PAO - pamięć operacyjna ROM - pamięć tylko do odczytu DB - magistrala danych CB
histologia wyk?ad8 ty S,N A1 U .ONEK C )D1 >KC1 IOW Y □ Komórki „nabłonka oddechowego"(pę
img035 (6) □Typowe krzywe przeżycia w skali liniowej. □ Komórki diploidalne wydają
IMG78 8 14 Przykładową charakterystyką obciążania akumulatora przedstawiono na rys. 16* 1400 ¥ opar
skanuj0055 Połączpunkty od 1 do 33 • 49 •4f •A«S .41 lar 40 •AA ? .1 3 6# I
Obraz (2328) JLSL-Sn V+ ^°A - A ^ 33 ^ 3Q ■ 5fł = o i j r ^A + ^A * aA j i j ł 2°A + 9a = ?A .
; I Proport>onal Valve Module □ X Home1+ jj*. ----5- r. Wrrte AA Diteonnect Read Wnte Save
więcej podobnych podstron