Tranzystor528
12
8
A
20,
& I
[mA]
16 0
Charakterystyka wyjściowa Ic — / (£/ce); Ib — parametr
Zależność napięcia nasycenia UcEsat od prądu kolektora ZJCEsat — f (Ic)
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
Tranzystor528 3 Charakterystyka wyjściowa Ic = f (Ucb); Ib — parametr Charakterystyka wejściowa lB
skanuj0018 138 4) Charakterystyka wyjściowa Ic = f(UCB) I Ig = const Zadanie 3.22 UBE = 0.763 V Zada
SAM?60 (Kopiowanie) Tranzystor MOSFET z zubażanym kanałem Rodziny charakterystyk wyjściowych i przej
Obraz (4) Charakterystyka wyjściowa Ic= f(UCE), IB = const. -IBl --IB2--IB3 -IB4 r-
tranz wyjsciowa4 12. Narysuj charakterystykę wyjściową dla pracującego w układzie jak na rysunku (lp
tranz wyjsciowa4 12. Narysuj charakterystykę wyjściową dla pracującego w układzie jak na rysunku (lp
img059 (20) then 3 sts twice, then 2 sts 3 (4, 4, 4, 4, 5) times, then 1 st 2 times—12 (12, 14, 14,
tranz wyjsciowa2 łl Narysuj charakterystykę wyjściową dla tranzystora pracującego w układzie jak na
IMG&77 Charakterystyka wyjściowa tranzystora bipolarnego w układzie WE ■?3®sr ******* Obszar pracy
Radosław Grzymkowski MATEMATYKA Zadania I Odpowiedzi Strona0 Funkcje & Ciągi 806.12. 6.13. 6.
icl7107 2 ił. ♦5’_l i7j5“ 15 MAN 6710 12 3 6 8 10 E -[ MA U 6710 1 1 1 +S 1 17 16 1 2 3 13 16
o Nemocnice versus ZPders 24 22 -20 -18 -16 -% 14 - •5 J 12 -• 3 Ol g 10 -£ 8 ■ 6 - 4 - 2 ■ 0
2013 03 12 20 58 Piramida wieku i fazy demograficzne • Charakterystyczny kształt „piramidy" Sz
6 9 10* 12 13 1415 16 17 18 19 20** 21 22 23 24 25** 26 27 28 29 30GR 3 ds.
więcej podobnych podstron