139

/S ; *

<

:-f,V '

V^{1 2}

N-

-"⁵V- :. ^-3. •'•

h, .

■.

.• %• ^r<

.•ł •

.f„

fc    •

. ² _t •r .².

* , •

K : . ²■

7V ‘'i ,-

<V -■>

Schemat układu

ostrzegającego o niebezpieczeństwie gołoledzi

P

Układ ostrzegający o niebezpieczeństwie gołoledzi

Jednym z najbardziej niebezpiecznych zjawisk w czasie jazdy samochodem jest goło-ledź. To szczególne niebezpieczeństwo wynika z faktu, że może ono wystąpić dość nieoczekiwanie i na niewielkich odcinkach drogi, np. mostach, wiaduktach. Obło-

i

dzenie jezdni występuje jeżeli temperatura powietrza jest poniżej 0°C, a wilgotność względna większa od 95%. Wykorzystując te kryteria można wykonać układ sygnalizujący niebezpieczeństwo wystąpienia gołoledzi. W większości fabrycznych rozwiązań układowych zrezygnowano z pomiaru wilgotności, pozostawiając ocenę wilgotności powietrza kierowcy, a układy sygnalizują tylko obniżenie się temperatury zewnętrznej. Zwykle jest to temperatura poniżej +2°C. Ną podobnej zasadzie pracuje sygnalizator z rys. 5.36 opracowany przez firmę Siemens.

Czujnikiem temperatury jest termistor R_t włączony w jedną z gałęzi mostka, utworzonego z rezystorów: R,, R₂, R₃, R_t. Sygnał z przekątnej mostka steruje wzmacniaczem operacyjnym US. Wzmacniacz ten w zakresie bliskim zrównoważenia mostka spełnia funkcję generatora impulsów. Niezbędne do generacji impulsów sprzężenie zwrotne dodatnie (rezystor R₇) i dodatkowo wprowadzone ujemne (rezystor R₉, tranzystor T, rezystor R₆) jest doprowadzane do wejścia nieodwracają-cego wzmacniacza operacyjnego US. Elementem sygnalizacyjnym jest dioda elektroluminescencyjna D/. Jeżeli temperatura zewnętrzna jest większa od +2°C to dioda nie j świeci. Przy temperaturze +2°C dioda zaczyna świecić światłem pulsującym, przy czym czas świecenia zwiększa się w miarę obniżania temperatury. Przy temperaturach mniejszych Od 0°C dioda Dl świeci światłem ciągłym.

Przy dodatnich temperaturach zewnętrznych napięcie U_E jest mniejsze od napięcia U_N i napięcie wyjściowe U_A wzmacniacza operacyjnego jest zbliżone do wartości napięcia zasilania. Potencjał bazy tranzystora T, ustalany przez dzielnik rezystorowy

sir'

h' ^ •

t?* •

r^A«.-

1

r- ²

2

• •> ' .

? ^r

Większość podzespołów półprzewodnikowych wchodzących w skład urządzenia

' można zastąpić krajowymi. Układ USI — ULY774IN, układy US2, US3 — NE555 nie t;V^r; ^ r są jeszcze u nas produkowane i trzeba je „zdobyć", Dl — BAYP95, BAVPI0. Jeżeli Pv cewka przekaźnika pobiera nie więcej niż 100 mA, tranzystor T2 można, pominąć.