16

6. Instrukcje logicme 67

6. Instrukcje logicme 67

RLC A	;przesunięde w lewo zawartości A, ; A()cC, Cc= A7,
MOV R6,A	;R6 <= A

RR A		Rotate Accumulałor Right
Działanie	An.j c An, n ^a 7..1
	A7«= Aq
Adresowanie	Mnemonik- Struktura bajtów:	Cykle Znacz-
		maszynowe mki:

rejestrowe:    RR A    | 0 0 0 0 | 0 0,1 l| 1

Opis działania:

Zawarta akumulatora przesuwana jest cyklicznie w prawo o jeden bit, bit A7 przyjmuje wartość bitu Aq. Sytuację tę przedstawia rysunek:

Przykład:

Zamiana czterech mniej znaczących bitów z czterema bardziej znaczącymi bitami akumulatora, A ■ 10011011B:

R1_A:

RR	A	;A <=11001101B
RR	A	;A <= 1110 OUOB
RR	A	;A <= 0111 001 IB
RR	A	;A<=1011 1001B

Xch_Mov:

XCH	A,40H	;A «(40H)
D MOV	R0,40H	;R0 c= (40H)	konieczne jest użyde
MOV	40H,A	;(40H) c= A	dodatkowego rejestru, np. RO
MOV	A.RO	;Ac=R0	do wymiany argumentów

Przykład 2:

Wymiana zawartości dwóch komórek wewnętrznej parni ęd RAM, pierwszej o adresie 80H w obszarze rejestrów specjalnych (SFR, 80H jest adresem portu Pl) i drugiej także o adresie 80H w drugim segmencie wewnętrznej pamięci RAM

Xch_Ranv MOV R0,#80H MOV A,@R0 XCH A,80H MOV @R0,A

;R0 <= 80H, RO adresuje wewnętrzną pamięć RAM ;A <= (RO), adresowanie pośrednie ;A o (80H), adresowanie bezpośrednie ;(R0) c= A, adresowanie pośrednie

XCHD A,@Ri    Exchange Digit

Działanie    A3 jj <=> (Ri)3..o

Adresowanie Mnemonik:    Struktura bajtów:    Cykle    Znacz-

'    maszynowe:    niki:

pośrednie:    XCHD A,@Ri    | 1    1    0 1 | 0 1    1    j~|    1 P

Opis działania:

Wymiana czterech mniej znaczących bitów akumulatora A3..0 * czterech mniej znaczących bitów komórki wewnętrznej pamięci RAM adresowanej rejestrem Ri (Ri>3._0/ Ri = RO lub Rl. Stan czterech bardziej znaczących bitów akumulatora i czterech bardziej znaczących bitów komórki pamięd RAM nic ulega zmianie. Poglądowo przedstawia to rysunek: