18

18



6 Instrukcje logiczne 65

6 Instrukcje logiczne 65

Ncg_2_ Liczba:

MOV

R0,IM8H

MOV

R3,#2

Pla 1:

MOV

A,©R0

CPL

A

MOV

©RO.A

INC

RO

DJNZ

R3,Pla_l

MOV

R0.S48H

MOV

R3.#2

SETB

C

Pla.2:

CLR

A

ADDC A,®R0

MOV

©RO.A

INC

RO

DJNZ

R3,Pla_2


RO zawiera adres najmniej znaczącego bajtu zmiennej Liczba

K3 licznikiem bajtów zmiennej Liczba

A<= (RO)

Ac: not A (RO) <= A

przygotowanie do negacji następnego bajtu

R3 c= R3 -1, jeśli R3 * 0 to powtórzenie pętli negacji

RO zawiera adres najmniej znaczącego bajtu zmiennej Liczba

R3 licznikiem bajtów zmiennej Liczba ,-Cc= 1, dodanie 1 do zanegowanej postaci zmiennej

;Ac= 0

;Ac= A ♦ C ♦ (RO)

;(R0)<= A

przygotowanie do pobrania następnego bajtu ;R3 <= R3 -1. jeśli R3 * 0 to powtórzenie pętli ;dodawania

RL A    Rotate Accumulator Left

P

Działanie:    An+1 <= An ■ 6-0

Aq c= Aj

Adresowanie:    Mnemonik:


rejestrowe:    RL A


Struktura bajtów:    Cykle    Znacz-

maszynowe:    niki:

| 0 0 1 0 | 0 0 1 71 1

Opis działania:

Zawartość akumulatora przesuwana jest cyklicznie w lewo o jeden bit, bit Aq przyjmuje wartość bitu Aj. Sytuację tę przedstawia rysunek:

a? a0 |

Mikrokontroler 80(C)S1 - programowanie

MOVX A,argument    Move Extemal

MOVX argument,A

Dziabnie:


a ^ r<256-P2 + Ri)xDATA <256* P2 +ROGATA 1 ^ A L (DPTR)xdata    (DPTR)Xdata J

dotyczy tylko zewnętrznej pamięci RAM mikroprocesora

Adresowanie:    Mnemonik:    Struktura bajtów:    Cykle    Znacz

maszynowe:    nikt:

pośrednie:

MOVX

A,@Ri

[T

1

1

0

0

0

1

Tl

2

1*

pośrednie:

MOVX

A,6DPTR

h

1

1

0

0

0

0

_ll

2

P

pośrednie: .

• MOVX

®Ri,A

rr

1

1

1

0

0

1

3

2

-

pośrednie:

MOVX

®DPTR,A

ll

1

1

1

0

0

0

_ll

2

-

Opis działania:

Przesłanie 8-bitowych argumentów między akumulatorem t komórkami zewnętrznej

pamięci RAM adresowanymi pośrednio rejestrem:

•    Ri, Ri = RO lub Rl; 16-bitowy adres zewnętrznej komórki pamięci RAM jest złożeniem dwóch 8-bitowych częśd:

-+ czść mniej znaczącą stanowi zawartość rejestru Ri, część bardziej znaczącą stanowi zawartość portu P2, ten sposób adresowania określany jest jako adresowanie stronicowe; 8-bitowy port P2 podaje numer strony w zakresie 0..255, a 8-bitowy rejestr Ri adres komórki w obrębie strony,

•    wskaźnikowym rejestrem danych (DPTR); bezpośrednie adresowanie pełnego obszaru 64-kOajtów zewnętrznej pamięci RAM; zawartość mnie) znaczącego rejestru DPTR (rejestr DPL) multiplcksowana jest z zawartością porru PO, a część bardziej znacząca (rejestr DPH) z zawartością portu P2.

Mikrokontroler RtVOSI ornprjirtnw*'**'


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
18 6 Instrukcje logiczne 65 6 Instrukcje logiczne
18 6, Instrukcje logiczne 57 W akumulatorze znajduje się wartość 40H=+64D, a nu.* poprawna wartość
18 6. Instrukcje logiczne 57 W akumulatorze znajduje się wartość 40H=+64D, a nie poprawna wartość 0
18 7 Instrukcje skoków i wywołań podprogramów 85 •    wpisanie pobranego adresu do l
14 6. Instrukcje logiczne 69 SWAP A Swap Accumulator Nibblęs Działanie:A7..4 o A3..0 Adresowanie
16 6 Instrukcje logiczne 57 W akumulatorze znajduje się wartość 40H»*64D. a nie poprawna wartość 0C
16 6 Instrukcje logiczne 57 W akumulatorze znajduje się wartość 40H«*64D. a nie poprawna wartość 0C
14 6. Instrukcie logiczne 59 iloczyn przesyłany jest do akumulatora (A), • komórki wewnętrznej pami
10 6. Instrukcje logiczne 63 wynik operacji przesyłany jest do akumulatora (A). • komórki wewnętrzn
10 6. Instrukcję logiczne 63 wynik operacji przesyłany jest do akumulatora (A). • komórki wewnętrzn
12 o Instrukcje logiczni 61 wynik operacji przesyłany jest do akumulatora, • komórki wewnętrznej pa

więcej podobnych podstron