k.. «

= -A,

<22

= -190

Na podstawie dzielnika wejściowego /?,, R_Fl:

*Ft 1*1

U = * - W""

Zatem

= -183

M,=0 V,

= 9,6sin(c>0 mV.

^Uc^=e/u.s- ~¹,83sin(co/) V, RptWhi

6, | Dla układu z Rys. 6.5.

Ir’ ⁼

- 4 mA ,

R\⁺R₂^Ucc~^Ube

fJcE^cc-^Ei +/?£₂+/fr)=⁹.^{96 v}-

b. y_c, - = 7V

^f/3=^£2=5,6 V '

c. Trnnskonduktancje obliczamy ze wzoru (4.3): / =40/_r= 160 mS.

Ai i <>

d. A,, - — ® -5- = 12500 .

kin f>m

c. Malosygnałowy schemat zastępczy układu dla zakresu średnich częstotliwości przedstawiono na Rys. 6.24.

Rys 6.24. M .dosyt indowy schemat zastępczy dla zakresu średnich częstotliwości układu z Rys. 6.5

- 5,6ko .

*iKI

Inaczej niż to było w poprzednich zadaniach, rezystancja widziana przez „prąd bazy” jest równa rezystancji wejściowej samego tranzystora /i,j powiększonej o rezystancję z obwodu emitera R_Ei zwielokrotnioną (h^ -f 1) razy.

*h*=*c=1.2 kO.

* » Ii* « -fc,

RAR,

^11⁴(^2l ⁺ l)^£y 'V^lll^R2ll^Il⁺^£/(*21 ^{+ 1})]

m -5,7 ,

= -5,7

V*~'*

e. ■ 9,9 sin(wr) mV,

u_b = 9,5sin(w/) mV,

^il⁺^£i^2i ⁺ 0 tt_c=/:_l4Se^=-0,057sin((irf) V.

6.1 Dla układu z Rys. 6.6.

Ucc'Vbe

= 4,43 mA ,

*,+<0+l)/?_£

Uce=Vcc-*ćI^rc+*e)=5,83 V.

b. t/,*R_£7_c=8,86 V, V₂^U_cc-I_cR_c^,61 V, l/₃=/?_£/_c+(/_i£=9,54 V.

c. Transkonduktancję obliczamy ze wzoru (4.3): g_w=40/_c=177 mS.

:i3on.

e. Malosygnaiowy schemat zastępczy układu dla zakresu średnich częstotliwości przedstawiono na Rys. 6.25.

k.. «

fJcE^cc-^Ei +/?£2+/fr)=9.96 v-

*,+<0+l)/?£

:i3on.

fJcE^cc-^Ei +/?£₂+/fr)=⁹.^{96 v}-

*,+<0+l)/?_£