ptk 2

Jeżeli na wejściu E pojawi się stan wysoki, to będzie przewodził dolny tranzystor (z kanałem typu n), górny zaś (z kanałem typu p) będzie zablokowany. Wyjście Q przejdzie więc w stan niski. Sytuacja odwróci się, jeśli na wejściu E pojawi się stan wysoki: wówczas będzie przewodził tranzystor górny, co prowadzi do pojawienia się stanu wysokiego na wyjściu.

Nop*c.e

Hjfciow

Map*oe

wyjłeiowe

Rys. 16

Tylko podczas przełączania płynie przez bramkę CMOS krótkotrwały prąd potrzebny do naładowania pojemności wewnętrznych

Prąd w takim obwodzie płynie tylko podczas przełączania (rys. I6) i to tylko wtedy, gdy w pewnym zakresie napięć wejściowych obydwa tranzystory MOSFET przewodzą (wartości tych napięć zależą od domieszkowania półprzewodnika i od napięcia zasilania) lub gdy są ładowane różne pojemności wewnętrzne i zewnętrzne. Ładowanie pojemności wewnątrz układu scalonego i w obwodzie zewnętrznym prowadzi do tego. że pobór prądu przez bramki CMOS jest, w dobrym przybliżeniu, wprost proporcjonalny do częstotliwości przełączeń (rys. I7).