dii nł»/iu\i „n" zostanie podłączony ujemny biegun żródta SEM, a do ,.p:> dodatni, wówczas mówimy, źe złącze p-n zostało spolaryzowane w kierunku przewodzona. Zewnętrzne pole elektryczne t ma zwrot przeciwny do pola lifc wytworzonego przez ładunek pr/eMrzcmiy zlicza nicspolaryzowaoego. W wyniku tego zumiej sra się wypadkowe pole elektryczne w obs/arzc /.ląL-/a (rysJd), ymnicjaza aię szerokość warstwy zaporowej (rys.3ab) oraz opór złączą, liariera potencjału zostaje- zmniejszona o U - napięcie zewnętrzne, przyłożo -
3d
a |
+ |
P |
A | |
Li.1 |
Rys. 3. Złącze, p-n spolaryzowane w kie- Uys.4. Charaktery styka prado wo-napięci owa runku przewodzenia (a-e jak na rys. I ). di<jdy półprzewodnikowej.
ne do złącza i jest równa I J;> - U (ry s.3c). W wynik u zmn iejszenia spadku napięcia na warstwie zaporowej, maleje natężenie pola elektrycznego ograniczającego dyfuzję nośników większościowych Im bardziej wzrasta napięcie zewnętrzne, tym bardziej zmniejsza się bariera potencjału - tym samym wzrasta dyfuzja, a z nią prąd płynący przez złącze w kierunku przewodzenia (rys.te).
Opór złącza w kierunku przewodzenia jest 103-10'*5 razy mniejszy od oporu w kierunku zaporowym. Złącze p-n charakteryzuje się zdolnością do jednokierunkowego przewodzenia prądu. Rzeczywiste złącza p-n nazywane są diodami półprzewodnikowymi. Statyczna charakterystyka prądowo-i wpięciu w u takiej diody przedstawiona jest na tys. 4.