skanowanie0055 (2)

o l/_CC=M

Y=A-B

A	B	Y
L	i	H
L	H	H
H	i	1
H	H	L

Rys. 4. Schemat bramki TTL NAND serii 74, symbol graficzny i tabela prawdy.

W stanie niskim złącze emiter-baza przewodzi prąd płynący przez Ri, co stanowi o tym, że wejście w stanie niskim jest typu źródła emisyjnego. Przy podnoszeniu potencjału wejścia zachodzi stopniowe zatykanie tego złącza, a odtykanie złącza baza-kolektor.

na wejściu

Rys. 5. Charakterystyka układu TTL z rysunku 4: a) charakterystyki wyjściowe, b) charakterystyka wejściowa.

Po zatkaniu złącza wejściowego prąd wejściowy stabilizuje się na poziomie prądu zerowego: przy tym jest to prąd absorbowany z wejścia.

W układach CMOS wartość prądu wejściowego jest wyznaczona wartością prądu płynącego przez wejściowy układ zabezpieczający. Jego typowe wartości zawierają się w przedziale 10-5-100 pA. Prąd wejściowy mierzy się dla niskiego i wysokiego poziomu na wejściu. W układach o kilku wejściach, nie wykorzystane wejścia muszą być dołączone do ujemnego lub dodatniego bieguna napięcia zasilającego. W przypadku układów bardziej złożonych, np. sekwencyjnych, sposób pomiaru prądu wejściowego musi być dostosowany do funkcji realizowanej przez układ.