wykresy

spr igbt(2).odt - OpenOffice Writer

Plik Edytuj Widok Wstaw Format Tabela Narzędzia Okno Pomoc

ABC

'z? H 0

SU Qi 0 , ! Znajdź

Domyślnie

Times New Roman

12

G KR W* ^ & 4=

Strona 6/8

HTłTiaEi

tf-1 spr igbt(2).odt - OpenOffice Writer

Domyślnie

Plik Edytuj Widok Wstaw Format Tabela Narzędzia Okno Pomoc

Domyślnie

Gl &

ABC

'z? H 0

SU Qi 0 , ! Znajdź

Times New Roman

12

G KR W* ^ & 4=

Uch.l=ó.5V			Uchl=8V
ucti4^vJ	icimAj	UceM		Uch2[v]	IclmAj	Uce[V]
05	0.80	0.48		1	0.4	0.58
1	5.90	0.58		2	21.7	0.06
15	1228	0.00		3	37.4	0.7
2	19.40	0.00		4	53.4	0.73
25	28.4	0.7		5	575	0.75
3	35.5	0.72		7	995	0.8
35	43	0.75		9	129.0	0.84
4	51.9	0.77		11	1005	0.87
45	588	0.8		13	192.0	0.91
5	06.0	0.82		18	310	0.99
55	74	0.85		23.1	4M	1.04
0	80.9	0.87		27	470	1.08
05	88.4	0.91
7	95.2	0.95
8	107.1	1.28
9	109.4	212
W	1115	299
11	113.1	3.81
12	115.7	4.77
13	1185	5.53

Charakterystyka dla na pi?: 4.5 V i 5.5 V:

—Udi1=4.5V —Uch1=S.SV

Wnioski.

Z pomiaru napięcia progowego jasno wynika. że przy wyższym Uch2. należy przyłożyć wyższe napięcie bramka -emiter(chociaż różnice nie są takie ogromne) aby tranzystor załączyć.

Podobnie jak w przypadku tranzystorów MOSFET. charakterystyka wejściowa jest niemalże linia prosta. Prąd wynoszą od Odo 1 uA. Nie jest to zaskoczeniem gdyż tranzystor MOSFET znajduję się w IGET. Sądzę, że jest to związane z tym. że do załączenia tranzystora potrzebujemy odpowiedniej wartości napięcia, a nie prądu.

Dzięki charakterystyce przejściowej łatwo można zauważyć, że przez tranzystor popłynie prąd dopiero po przekroczeniu napięcia progowego. Z tego powodu napięcie progowe jest jednym z najważniejszych parametrów tranzystora IGBT w katalogu. Prąd dopiero po chwili zaczyna być liniowy. Od ..załączenia” się tranzystora wartość prądu bardzo szybko się zmienia w stosunku do wartości napięcia. Ławo dzięki temu jest przewidzieć zachowanie tranzystora przy różnych napięciach zasilania. Dla najwyższej wartości napięcia z kanału drugiego(Uch2) tranzystor uzyskuje najwyższe wartości prądu kolektora. Wynika to z prawa Ohma;wartość prądu równa się napięciu podzielonemu przez rezystancję).

Przy charakterystyce wyjściowej, nasze wykresy podzieliłem na dwa oddzielne. Jeden wykres był zbyt mało czytelny, z powodu zbyt dużych różnic w wartościach prądu kolektora. Pomiary wykonane były dla dla napięć: napięcie progowe, napięcie mniejsze i większe o jeden wolt i dla napięcia wyższego o parę woltów.

Podsumowują: tranzystor IGBT połą: zony z tranzystora bipolarnego i typu MOSFET przejął i połączył ze sobą najlepsze cechy wymienionych tranzystorów.

W naszym układzie dobadar.ia wartość rezystancji na oporniku podłączonym, do kolektora