085

a n.ui ii cufcw<i .v>»<    r    :uo

BSNIWMW f-7.Qty «N PWN SW

39 ROZBUDOWA POWŁOK ELEKTRONOWYCH    65

Sc    1 s^:2sy3sYd'ⁿ4sy

Br    ls^:ZsyHsytl'ⁿ4sy

Kr    U^:lv^Jp‘3ły</"^,4.vy

Ze schematów na rys. 3.21 i 3.22 wynika, że następną podpowłoką, która zostanie wypełniona, jest podpowloka 5*. wchodząca w skład powłoki piątej (O). Odpowiada jej bowiem poziom energetyczny niższy niż poziom podpowłoki 4d. Następuje więc teraz przerwa w budowaniu powłoki czwartej (N):

Rb    I $’ 2jV 3 s’p*d^H As’p^r‘ 5s‘

Sr    ls^ł2*y 3s^!p*d* 4s*pP 5r

Po wypełnieniu podpowłoki 5s pierwiastki od itru do kadmu wypełniają podpow-łokę Ad, a więc kontynuują przerwaną budowę powłoki .V. Podobnie jak w przypadku podpowłoki 3d. elektronów przybywa obecnie mc do powłoki najbardziej zewnętrznej (powłoki O), lecz do drugiej powłoki, licząc od zewnątrz atomu:

Y    li¹2tY isVd"4sYJ' Ss’

Zr    Ij¹ 2sY )sVd" AsYd² 5r^J

Nb    ls^J 2t’Y 3 rpWArYd* W

Mo    \s* 2sY 3syd^H4sY^ 5s'

Tc    \s² 2sY 3 sYd" AsYd' 5 s³

Ku    U- 2*Y 3 rpWAsYd⁷ 5s'

Rh    ls> 2tY IsYd^AsYd* 5s'

Pd    \s*2sY IsYd" AsYd'°

Ag    1 r 2*Y 3rp*d*AsYd"> .V

Cd    li¹2sY lsYd*AsYd'⁰ 5s^}

Mimo że powłoka czwarta (N) nie jest jeszcze kompletna (nic została obsadzona podpowłoka 4/). ze względów energetycznych dogodniejsze jest obsadzanie podpowłoki 5p (od indu do ksenonu) oraz fis (cez i bar):

In	irlsYSsYd"	'As'Yd"	'Sty
Sn	ls^r2>y 3rpV	'Aip'd"	'SsY
Sb	u-ivy 3iYd"	’AXyd"	'SsY
Te	U*2sYisYd"	msyd*	^v5s'Y
I	\s^22yp'lsYd"	'AsYd"	'5sY
Xe	U* IsYisYd"	‘AsYd"	'Sty
Cs	is^22syysYd"	‘AsYd"	'5sY6s'
Ba	1 flsyisYd"	'AsYd"	'SsYts^2