5

3 .Tranzystor IGBT

Tranzystor IGBT jest tranzystorem bipolarnym z izolowaną bramką. Powstał z połączenia tranzystorów VDMOS oraz tranzystorów bipolarnych. Typowe charakterystyki statyczne tranzystora IGBT są podobne do charakterystyk tranzystorów bipolarnych. W układach energoelektronicznych tranzystor pracuje jako łącznik i dlatego bierze się pod uwagę charakterystykę podającą zależność prądu kolektora Ic od napięcia kolektor - emiter Vce i napięcia bramka - emiter V_Ge Zgodnie z rozpatrywanym zakresem zastosowań tranzystor pracuje w zakresie obszaru nasycenia i obszaru odcięcia charakterystyki Ic = ^Uce)-

Tranzystor IGBT jest elementem sterowanym napięciowo co oznacza to stosowanie bardzo prostych układów wyzwalania bramkowego. Używane są standartowe układy wyzwalania tranzystorów IGBT np.M57959L, M57962L Mitsubishi.

MITSUBISHI IGBT MODULES

CM75DY-12H

HIGH POWER SWITCHINCI USE _INSULATEO TYPE

PEPEOPMAWCE CURVES

OUTPOI CłłARACTERISTlCS (TYPICALI

TRAWI* CHARACTIRIST1CI rrrwcAU

OATE-EMITTER VOŁTAQE V» (V)

COU.ECTOR IMITTrR SAfURATION VOUAO» OUU1ACTCRI9TICS frrpiCAA)

tfitt WHffl WOOf EORWARO OlARACHRlSlTlCI (TYPICAll

EMITTER COUECTOfl YOCTAOC Vic |V)

COUJCTOP-CMfTTIA lATURATYOM YM.TAOI CMARACTIRl*nC* (ttucau

I I T. -							i
i							i
							i
						IC	• IWA	.
							1	-

I i 4 M 10 li 1< '■« '« *0 OATE EMITTER YOŁTAOE Va« (V)

CAPACTTANCf VI. Vct (ttpicaii