PANEK1 BMP

1    Co to jest zjawisko fotoeleklryczne zewnętrzne? Parametr charakterystyczny.

2    Skąd się biorą pasma energetyczne w półprzewodniku?

3    Co to jest statystyka i poziom Fermiego?

4.    Jak zależy położenie poziomu Fermiego od typu i koncentracji domieszki w półprzewodniku?

5.    Wyjaśnij pojęcie generacji termicznej i rekombinacji.

6.    Uzasadnij pojęcie ..dziury’" jako nośnika ładunku elektrycznego.

7.    Dlaczego w temperaturze różnej od zera bezwzględnego półprzewodnik ma pewną przewodność, różną od zera?

X. Jak zależy w półprzewodniku samoistnym koncentracja nośników ładunku od temperatur)?

9. Jak wyraża się warunek neutralności elektrycznej półprzewodnika domieszkowanego jednocześnie akceptorami i donorami?

10 Jak można obliczyć koncentrację nośników mniejszościowych w półprzewodniku, przy założeniu, że jest on domieszkowany znanym typem domieszki o zadanej wartości koncentracji?

11.    Model pasmowy półprzewodnika domieszkow anego.

12.    Przesunięcie poziomu Fermiego w zależności od typu i koncentracji domieszki.

13.    Lokalne prawo Ohma.

14 Model pasmowy półprzewodnika niejednorodnie domieszkowanego: uzasadnij istnienie wewnętrznego, wbudowanego pola elektrycznego.

15.    Prąd unoszenia w półprzewodniku, gęstość tego prądu, definicja ruchliwości nośników.

16.    Prąd dyfuzji w półprzewodniku, jego gęstość, definicja współczynnika dyfuzji.

17 Co to jest średnia droga dyfuzji nośników?

IN. Co to jest średni czas życia nośników?

19. Na czym polega proces generacji i rekombinacji, przebiegający z udziałem głębokich poziomów pułapkowych?

20 Objaśnij dla półprzewodnika samoistnego przebieg zależności przew odności właściwej od temperatur)*.

21.    Objaśnij dla półprzewodnika domieszkowanego przebieg zależności przewodności właściwej od temperatur)*.

22.    Objaśnij zjawisko fotoeleklryc/ne wewnętrzne w przypadku półprzewodnika samoistnego, graniczna długość fali.

23.    Objaśnij zjawisko [bioelektryczne wewnętrzne w przypadku półprzewodnika domieszkowanego, graniczna długość fali.

24.    Budowa, energetyczny model pasmowy niespoisty/.owanego. skokowego złącza p-n.

25.    Co to jest napięcie dyfuzyjne złącza p-n i od czego ono zależy?

26.    Objaśnić praw o złącza.

27 Model pasmowy skokow ego krzemowego ziacza p-n, spolaryzowanego w kierunku przewodzenia napięciem 0.5V.

2X. Model pasmowy skokowego krzemowego ziacza p-n, spolaryzowanego w kierunku zaporowym napięciem IV.

29. Rozkład ładunku przestrzennego, pola elektrycznego i potencjału w niespola-

ryzow anym. skokowym ziąc/u p-n o jednakowych poziomach koncentracji domieszki donorowej i akceptorowej po stronie _T.p^?' i ,.n^r*