skanuj0002

67

U_BC = U_T ■ ln 1

i

CO

^lC + <*N

Zadanie 3.15

Rezystywność i czas życia nośników mniejszościowych w obszarze bazy 3 różnych tranzystorów krzemowych n-p-n są identyczne i wynoszą p = 3 Qcm, x = 15 ps. Koncentracje domieszek w obszarze emitera są natomiast różne i wynoszą: N_dci = 10¹⁷ cm'³, N_de2 ⁼ 10^,s cm'³, N_de3 = 10¹⁹ cm'³, odpowiednio czasy życia t_pei = 1 ps, x_pe2 = 0.5 ps, ipe3 = 0.1 ps. Obliczyć sprawność emisyjną y tych tranzystorów, jeśli wiadomo, że mają jednakową szerokość bazy W_B = 20 pm.

Zadanie 3.16

Trzy tranzystory germanowe p-n-p o jednakowej szerokości bazy W_B = 30 pm różnią się wartościami koncentracji domieszek i czasów życia dziur w bazie:

N_db, = 10¹⁴ cm'³,    N_db2 = 10¹⁵ cm'³,    N_db3 = 10¹⁶ cm'³

T_pbl=50ps,    _pb2 = 30 ps,    _pb3 = 10 ps

Obliczyć sprawność transportu tych tranzystorów.

Zadanie 3.17

W krzemowym tranzystorze stopowym p-n-p rezystywność obszaru bazy wynosi 1.5 Qcm, zaś rezystywność obszaru emitera 0.003 Qcm. Czas życia nośników mniejszościowych t = 15 ps, x = 0.2 ps. Grubość bazy W_B = 20 pm. Znaleźć zwarciowy współczynnik wzmocnienia prądowego a .

Zadanie 3.18

Obliczyć współczynnik zmian grubości bazy tranzystora stopowego, jeśli złącze C-B spolaryzowanó zaporowo napięciem 5 V.

Dane: N_db = 10¹⁵ cm'³, N_ac = 10¹⁹ cm'³.

Zadanie 3.19

Obliczyć o ile zmieni się współczynnik zmian grubości bazy krzemowego tranzystora stopowego p-n-p, jeśli temperatura wzrośnie z T| = 300 K do T₂ = 450 K, p_b = 2 ficm, p_c= 0.002 Ocm, U_CB = -1 V.

Zadanie 3.20

Obliczyć prąd bazy tranzystora germanowego przy założeniu, że grubość bazy W_B = = 100 pm, A = 0.01 cm², p_n = 10¹⁰ cm'³, x_p = 10"⁴ s, U_BE = 0.3 V, T = 300 K, Ap_ne =

= p„[exp(U_EB /U_T)-1].