skanuj0003

69

Zadanie 3.24

Dla tranzystora pracującego w układzie jak na rysunku obliczyć U_Be i U_BC oraz I_c, jeśli:

a) U_CE=+10V,

b) U_CE =- 10 V.

Przyjąć dane tranzystora z zadania 3.22.

Zadanie 3.25

Obliczyć natężenie pola elektrycznego w bazie tranzystora dryftowego, jeśli koncentracja domieszek w bazie przy emiterze wynosi 5-10^!0 cm'³, przy kolektorze 10¹⁴ cm'¹. Szerokość bazy W_B = 2 pm, T = 300 K.

Zadanie 3.26

Jaka winna być koncentracja domieszek w bazie przy emiterze w tranzystorze, w którym pole elektryczne w bazie wynosi E_B = 1000 V/cm, W_B = 1.5 pm, N_db (W) = 6-lÓ^l4cm'^J.

Zadanie 3.27

Dany jest tranzystor dryftowy n-p-n o wykładniczym rozkładzie domieszek w bazie. Przyjmując, że ruchliwość elektronów w bazie od emitera do kolektora zmienia się według funkcji wykładniczej

Pnb(^x) = Pnb(0)expQ

obliczyć średnią ruchliwość elektronów w bazie jl„_b .

Zadanie 3.28

Wykorzystując zależność wyprowadzoną w 3.27 obliczyć średnią ruchliwość w bazie krzemowego tranzystora n-p-n. Koncentracje domieszek wynoszą N_ab(0) = 6-10ⁱ⁶ cm’³, Nab(W_B) = 4-10¹⁴cm'³.