skanuj0006

72

= 10 cm²/s, D_n = 40 cm²/s, czasy życia: x_p = 10'⁸ s, x_n = 1.25-10¹⁰ s.

Zadanie 3.43

Obliczyć częstotliwość f_T oraz współczynnik wzmocnienia prądowego P dla tranzystorów germanowych n-p-n i p-n-p dla danych: grubość bazy W_H = 10 pm, stałe dyfuzji D_p = 50 cm²/s, D_n = 100 cm²/s, czasy życia: t_p = 10’⁵s, x„ = 5-10’⁷ s.

Zadanie 3.44

Obliczyć częstotliwość f_T oraz współczynnik wzmocnienia prądowego P tranzystorów germanowych n-p-n i p-n-p dla danych: grubość bazy W_B = 1 pm, stałe dyfuzji D_p = == 50 cm²/s, D„ = 100 cm²/s, czasy życia: x_p = !0'⁵ s, x„ = 5-10"⁷ s.

Zadanie 3.45

Dla modelu hybryd n wyznaczyć częstotliwość f_g.₃dB tranzystora w układzie WE i WB. Zadanie 3.46

Tranzystor bipolarny ma zwarciowy współczynnik wzmocnienia prądowego w układzie wspólnego emitera dla f = 100 MHz równy 4 przy Ic = 1 mA i 4.5 przy l_c = 4 mA. Zakładając y = 1, obliczyć C_ie i x_b. Zmierzona wartość C_b’_c = 0.3 pF.

Zadanie 3.47

Koncentracja domieszek w kolektorze tranzystora wynosi N_d = 2-10¹²cm’³ i jest znacznie mniejsza niż koncentracja domieszek w bazie. Obliczyć napięcie przebicia UcEmax dla P 100 i n = 4. Przyjąć E_max = 3• 10⁵ V/cm.

Zadanie 3.48

W tranzystorze bipolarnym koncentracja domieszek w kolektorze wynosi N_d = = 6-10"¹⁵ cm’³ i jest znacznie mniejsza od koncentracji domieszek w bazie. Obliczyć napięcie przebicia U_CEmax • Przyjąć: P = 200, n = 4 oraz E_max = 3-10⁵ V/cm.

Zadanie 3.49

Powtórzyć obliczenia z zadania 3.48 dla domieszkowania N_d = 10¹⁵ cm’³ i p = 400. Zadanie 3.50    ■

Obliczyć prądy bazy i kolektora oraz napięcie pomiędzy kolektorem i emiterem w układzie pokazanym na rysunku. Przyjąć: 1J_Be ⁼ 0.7 V, U_Cc = 6 V, P = 80, R_c = 500 Q, R₀ = = 50 kQ.