Laboratorium Elektroniki cz I 0

76

3.    Przedstawić i omówić charakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego w układzie OE.

4.    Przedstawić i porównać charakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego w układzie OB i OE.

5.    Wymienić i omówić parametry statyczne tranzystora w układzie OE.

6.    Omówić różnice pomiędzy parametrami statycznymi tranzystora w układach OB i OE.

7.    Zdefiniować i omówić sposoby pomiaru prądów zerowych tranzystora.

8.    Omówić napięcie przebicia tranzystora oraz podać i wyjaśnić mechanizmy przebicia.

9.    Przedstawić sposób pomiaru napięcia nasycenia tranzystora. Zdefiniować i wyjaśnić pojęcie napięcia nasycenia UcEsat-

10.    Przedstawić i wyjaśnić sposób otrzymywania parametrów modeli tranzystora z charakterystyk statycznych.

11.    Przedstawić i wyjaśnić sposób otrzymywania charakterystyk przejściowej i zwrotnej w sytuacji, gdy dysponuje się tylko charakterystykami wejściową i wyjściową.

3.4. Aparatura pomiarowa

Do pomiaru charakterystyk statycznych służy uniwersalny tester (patrz dodatek D.1) przyrządów półprzewodnikowych i układów scalonych oraz woltomierze i amperomierze.

3.5. Program ćwiczenia

1.    Wyznaczenie charakterystyki wejściowej Ube = f(ls)

-    pomiar należy przeprowadzić dla co najmniej trzech wartości napięcia Uce (np.: 0 V, 3 V, 7 V).

2.    Wyznaczenie charakterystyki wyjściowej lc = f(UcE)

-    pomiar należy przeprowadzić dla co najmniej pięciu wartości prądu Is (np.: 0 pA, 1 pA, 3 pA, 5 pA, 10 pA).

3.    Wyznaczenie charakterystyki przejściowej l_c = f(lB>

powered by

Mi siol

-    pomiar należy przeprowadzić dla wartości napięcia Uce (takich jak w p.1).

4.    Wyznaczenie charakterystyki przejściowej inwersyjnej l’c = f(le)

-    pomiar należy przeprowadzić po zamianie miejscami kolektora z emiterem dla co najmniej trzech wartości napięcia U_Ce (takich samych jak w p. 3).

5.    Wyznaczenie charakterystyki zwrotnej Ube = f(UcE)

-    pomiar należy przeprowadzić dla pięciu wartości prądu l_B (takich jak w p. 2).

Rys. 3.8. Układ do wyznaczania charakterystyk statycznych

CE

Rys. 3.9. Układ do pomiaru prądów zerowych Iceo.Iqeh. Ices

6. Pomiar prądów zerowych I_Ceo. Icer, Ices

- pomiar należy przeprowadzić w układzie rys. 3.9, każdorazowo dla co najmniej trzech wartości napięcia Uce.

-    dla prądu zerowego Icer pomiar należy przeprowadzić dla co najmniej trzech wartości opornika R.

7.    Pomiar napięcia nasycenia UcEsat i U_BEsat dla tranzystorów wykonanych różnymi technologiami (rys. 3.10)

-    w trakcie pomiarów należy zdjąć charakterystykę Uce = f(lB) poczynając od zakresu aktywnej pracy tranzystora. Jednocześnie należy notować wartości napięcia Ube-

8.    Powtórzyć pomiary napięcia nasycenia wg punktu 7 dla tego samego tranzystora w układzie inwersyjnym.

Układy do pomiaru charakterystyk stałych, prądów zerowych i napięć przebicia przedstawiono na kolejnych rysunkach 3.8; 3.9; 3.10.