Instrukcja programu SP1CE... 16 §. MODELE
Definicja:
.MODEL MNAME TYPE < PNAME1=PVAL1 PNAME2=PVAL2 ... >
np : .MODEL MOD1 NPN BF=50 IS=1E-13 VBF=50
Linia ta podaje zestaw parametrów modelu, które są używane przez jeden lub więcej elementów. Dla pominiętych parametrów przyjmowane są wartości określone w programie. Opisy modeli można umieszczać w programie głównym bądź w zbiorach biblitecznych. Do tworzenia modeli elementów półprzewodnikowych najwygodniejsze jest zastosowanie programu PARTS, w którym do opisu elementu wystarczająca jest znajomość parametrów katalogowych. W wyniku działania tego programu uzyskujemy zbiory z deklaracj ami MODEL.
MNAME - nazwa modelu TYPE - typ modelu
PNAME [ n ] , PVAL [ n ] - nazwa i wartość parametru
Typy modeli :
D |
- dioda | ||
NPN |
- tranzystor bipolarny typu n-p-n | ||
PNP |
- tranzystor bipolarny typu p-n-p | ||
NJF |
- tranzystor unipolarny JFET z kanałem typu n | ||
PJF |
- tranzystor unipolarny JFET z kanałem typu p | ||
NMOS |
- tranzystor unipolarny MOSFET |
z kanałem typu n | |
PMOS |
- tranzystor unipolarny MOSFET |
z kanałem typu p | |
CORE |
- rdzeń magnetyczny | ||
DIODA | |||
Model |
ten może być określony przez 14 parametrów . Najważniejsze z nici | ||
nazwa |
parametr jednostka |
wartość przyjmowana | |
IS |
prąd nasycenia |
A |
1CT14 |
RS |
rezystancja szeregowa |
Q |
0 |
N |
współczynnik emisji |
- |
1 |
czas przełączania |
s |
0 | |
EG |
szerokość przerwy energetycznej |
eV |
\—1 l—1 \—1 |
BV |
zaporowe napięcie przebicia |
V |
co |
IBV |
prąd przy BV |
A |
10-3 |
CJO |
pojemność złącza |
F |
0 |