Laboratorium Elektroniki cz I 9

154

Rys. 7.13. Dryft napięcia emiter - baza U_Eb w funkcji temperatury (tranzystor krzemowy)

Rys. 7.14. Zależność wartości współczynnika wzmocnienia prądowego p od temperatury i prądu kolektora

Należy zwrócić uwagę na fakt, że prąd zerowy Iceo (zależność (7.24)) rośnie szybciej wraz ze wzrostem temperatury, w porównaniu z prądem zerowym Icbo, gdyż sumują się tu efekty termicznego wzrostu wartości wzmocnienia prądowego p i prądu Icbo (rys. 7.12).

155

podobnie jak w przypadku diod parametry małosygnałowe tranzystora bipolarnego też są uzależnione od temperatury, co zilustrowano na przykładzie parametrów hydrydowych hjj₀ dla tranzystora pracującego w układzie wspólnego emitera (rys. 10.5).

7.2.10. Tranzystory połowę

Właściwości tranzystorów polowych silnie zależą od temperatury, co jest efektem występowania dwóch czynników:

•    zależności temperaturowej ruchliwości p nośników w kanale;

•    zależności temperaturowej potencjału dyfuzyjnego tp_B złącza (w tranzystorach PNFET) lub potencjału Fermiego cp_F (w tranzystorach MOSFET).

Rys. 7.15. Wpływ temperatury na charakterystyki tranzystorów polowych typu PNFET (1) i MOSFET z kanałem wzbogacanym (2)

W efekcie, wskutek zmniejszania się ruchliwości \i nośników przy wzroście temperatury maleje prąd drenu Id. Ale przebieg zjawiska jest mocno komplikowany poprzez wpływ drugiego czynnika. Wpływ ten zależy od typu tranzystora unipolarnego, co przedstawiono na rys. 7.15. Zaobserwowane efekty można następująco podsumować:

• W zakresie dużych wartości prądu drenu Id temperaturowy współczynnik zmian tego prądu ma znak ujemny, co oznacza spadek wartości tego prądu przy wzroście temperatury.