180
- diody o małym czasie opadania tf, stosowane do formowania bardzo stromych impulsów prostokątnych. Całkowity czas przełączania nie ma w tych diodach większego znaczenia, natomiast ważne jest, aby Vt8 « 1.
Takie własności ma tzw. „dioda ładunkowa”, tj. złącze p-n o specjalnym profilu domieszkowania zapewniającym powstanie „wbudowanego” hamującego pola elektrycznego.
9.2.2. Przełączanie tranzystora bipolarnego
W układach impulsowych tranzystor spełnia często rolę bezstykowego przekaźnika, pracując najczęściej w układzie WE. Tranzystor posiada w tej roli dwa stany stabilne: jest to stan załączenia (na rys. 9.3 punkt A) odpowiadający załączeniu styków przekaźnika i stan zablokowania (punkt B na rys. 9.3) odpowiadający rozwarciu
Rys. 9.3. Badanie procesów zachodzących przy przełączaniu tranzystora bipolarnego: a) układ pomiarowy, b) ilustracja stanów ustalonych odpowiadających załączeniu i wyłączeniu tranzystora na jego charakterystykach wyjściowych
styków przekaźnika. Tranzystor jest tym lepszym analogiem przekaźnika, im mniejsze jest napięcie nasycenia UcEsat i im mniejszy jest prąd zerowy Ico- Ponieważ przejścia pomiędzy stanami A i B odbywają się szybko, prosta obciążenia wynikająca z napięcia zasilania Ucc i rezystancji obciążenia może przechodzić ponad hiperbolą mocy dopuszczalnej tranzystora. Przebiegi czasowe prądów i napięć w układzie z rys. 9.3a przy prostokątnym napięciu wymuszającym Eg przedstawia rys. 9.4. Przy załączaniu tranzystora w chwili t = 0 początkowo przebieg prądu bazy ib związany jest z procesem ładowania pojemności złączowych. Po zakończeniu ładowania tych pojemności rozpoczyna się proces włączania prądu kolektorowego. Napięcie i prąd bazy ustalają się na poziomach określonych statyczną charakterystyką wejściową
tranzys*ora * parametrami zewnętrznego obwodu fnoźna wyrazić zależnością:
sterującego. Czas
powered by
Mi siol
, ^ , U2-U,
UZ - UBsa.
gdzie: Cwe = Ce + Cc + Cmont,
Ce - pojemność złącza emiterowego,
Cc - pojemność złącza kolektorowego,