O %/ ąj
"Nasze badania wykazują, że poniżej granicy 30 nanometrów konwencjonalne tranzystory planarne o pojedynczej bramce odznaczają sie zbyt dużymi stratami mocy. by spełnić nasze plany w stosunku do wydajności" - twierdzi dr Gerald Marcyk. dyrektor laboratorium badawczego podzespołów w firmie Intel. -
"Lkład trój bramkowy pozwoli nam budować ultraminiaturowe tranzystory, osiągające ogromne wydajności przy małym zużyciu energii i utrzymać tempo rozwoju wyznaczone przez prawo Moorea."