P1030355

290 M.polbwczyk, E.KIugmnnn - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE

6.10.    Dla tranzystora o znanych parametrach modelu stałoprądowego Ehcrsa-Molla:

P_N = 100, Pj = 10, I_s = 1 iiA, wyznaczyć napięcia U_Cg i Ugg w stanie nasycenia, w którym I_c = 10 mA oraz Ig= 1 mA w temperaturze 25°C. Obliczyć również rezystancję r_CEjal.

6.11.    Dla tranzystora npn podać określenie i sposób pomiaru prądów zerowych Iqjq, IgBO oraz związek między tymi prądami.

6.12.    Z pomiarów tranzystora pnp w obszarze aktywnym normalnym otizymano prąd kolektora 1_C1= -0,598 mA przy prądzie emitera I_Ej= 0,6 mA. Obliczyć oraz Iq dla prądów bazy Iq2= -8 pA oraz 1^= -15 pA.

6.13.0 ile zmieni się prąd kolektora przy stałym prądzie bazy równym: a) 10 pA, b) 30 pA, gdy napięcie U_CE zmieni się od 5V do I5V. Wykonać obliczenia dla tranzystora npn o parametrach: p_N=100, U_CN = 100 V.

6.14.    Obliczyć oraz wykreślić moc adniisyjną tranzystora npn w zależności od temperatury otoczenia w przedziale (25°C, 80°C), jeżeli wiadomo, że:

T_jm„x= 150°C, R_tljj__n= 420 K/W.

6.15.    Wiedząc, że rezystancja termiczna R_lhj._a= 420 K/W, a dopuszczalna temperatura Tjm«r= 150°C, wyznaczyć maksymalny dopuszczalny prąd kolektora tranzystora BC107 w temperaturze otoczenia 80°C, dla napięcia U_CE= 10 V.

6.16.    Obliczyć wartość konduktancji g_bc oraz transkonduktancji g_m tranzystora pracującego w temperaturze otoczenia T_a= 50°C, w punkcie pracy: I^= 10 mA, Uce⁼ 10 V, jeżeli wiadomo, że: R,_hj__a= 0,5^oC/mW, p_N= 100.

6.17.    Obliczyć transkonduktanqę g_m tranzystora pracującego w temperaturze otoczenia T_a= 50°C, w punkcie pracy: I_c = 1 mA, U_CE= 5 V, jeżeli wiadomo, że dla tego tranzystora w temperaturze otoczenia T,= 25°C przy I_c= 10 mA oraz U_CE= 10 V transkonduktancja wynosi g_m= 335 mA/V.

6.18.    Na podstawie znajomości parametrów modelu małosygnałowego typu hybryd n tranzystora w połączeniu WE wyznaczyć elementy macierzy [h_e], uwzględniając rezystancję rozproszoną bazy r_bb oraz konduktancję g_ce.

6.19.    Z pomiarów małosygnałowych rezystancji wejściowych i wyjściowych tranzystora w zakresie m.cz., które przeprowadzono w sposób pokazany schematycznie na rys.2, w puncic pracy: I|;= 1 mA, U_CB= -6 V, wyznaczyć elementy macierzy [h_b] tranzystora.

Rys.2

6 20.Obliczyć częstotliwość f_T tranzystora npn, jeśli wiadomo, że: C_E= 700 pF,

I_c= 5 mA, Uce= 10 V, T_a= 25°C, R,^.^ 500°C/W.

6.21. Wyznaczyć wartość pojemności C_c tranzystora npn przy    2 V, jeżeli z danych katalogowych wynika, że C_c= 0,7 pF przy napięciu Uęg= 10 V.

6.22.    Na podstawie tego, że f_T i 60 MHz, określić czas transportu normalnego (t^) tranzystora BF869.

6.23.    Wyznaczyć pojemność C_E tranzystora BF869 w punktach pracy:

1) I_c= 20 mA, U_CE= 50 V, T,= 50°C, 2) Ic= 2 mA, U_CE= 2 V, T,= 75°C, uwzględniając dane katalogowe: f_T 2 60 MHz, R_|hj__a= 78 K/W.

6.24.    Wyznaczyć maksymalną częstotliwość generacji f_roax dla tranzystora BF214 w punktach pracy: 1) I_c= 1 mA, U_CE= 10 V, 2) 10= 6 mA, U_CE= 20 V, uwzględniając dane katalogowe: fj= 250 MHz, C^= 0,7 pF przy Uq?= 10 V, ^rbb^f' ^Cc⁼ 12 P^s Pt7.y Ic= 1 mA i U_CE= 10 V.

6.25.    Wiedząc, że prąd oświetlonego fototranzystora BPRP24 przy napięciu U_CE= 5 V i natężeniu oświetlenia Jp= 1 klx wynosi I^= 1 mA, a prąd ciemny I_CE0= 0,1 pA, wyznaczyć wartość prądu I_c przy U_CE= 2 V i Jp= 10 klx.

6.26.    Wyznaczyć maksymalne dopuszczalne natężenie oświetlenia fototranzystora BPRP24 w temperaturze otoczenia T,= 50°C, przy napięciu U_CE= 10 V, uwzględniając dane katalogowe: Tj_niax= 175°C, P_adni= 100 mW przy T_a= 25°C.

6.27.    Wykazać, żc tranzystor połowy w obszarze omowym posiada przy bardzo małym napięciu dren-źródło rezystancję r_DS zależną jedynie od napięcia U_GS

Rys.3

6.28.    Obliczyć prąd drenu tranzystora potowego z indukowanym kanałem w układzie przedstawionym na rys.3, przyjmując: E= 10 V, R= 2 kś2, Uj= 2 V,

B = 0,2 mA/V”, dla przypadków: a) U_GS=2V,b)U_GS=10V.

6.29.    Wyznaczyć elementy małosygnałowego schematu zastępczego tranzystora potowego pracującego w układzie przedstawionym na rys.4 przyjmując:

E_gg= 5 V, E_dd= 10 V, U_p= 2 V, B= 1 mA/V², f = 50 Hz, R = 1 kQ. ...

6.30.    Dla tranzystora potowego BF245 określić maksymalną dopuszczalną wartość prądu drenu przy U_DS= 10 V i T_a= 50°C, uwzględniając następujące katalogowe parametry graniczne: P_adn)= 360 mW przy T_a= 25°C, Tj_max= I50°C.

31. W warunkach izotermicznych prąd drenu tranzystora potowego złączowego przy zmianie napięcia drenu od 5 V do 25 V zmienia się od 10 mA do 12 mA (przy bramce zwartej ze źródłem). Obliczyć wartość prądu drenu tego tranzystora przy U_DS= 20 V i U_GS= -2 V, jeśli napięcie progowe Up= -5 V.