l'ci- l'C2 - aktualne napięcia kolektorowe na tranzystorach Tx i T2;
U31. lB2 - aktualne napięcia bazowe na tranzystorach TL iT2;
U3E2. l‘3EP - napięcia bazowe na tranzystorze dla stanu zatkania lub nasycenia;
Ucez* ces ' napięcia kolektorowe na tranzystorze dla stanu zatkania lub nasycenia (poziom wvsoki i niski); przy czym: UCE2 W PRZYBLIŻENIU RÓWNE Ucc. UCE5 W PRZYBLIŻENIU RÓWNE 0
(Ucc - napięcie zasilające kolektor)
W obu fazach stabilnych (biernych) jeden z tranzystorów jest zatkany, drugi nasycony.
1. Działanie układu rozpatrzymy począwszy od stanu: Tl - zatkany. T2 - nasycony, w którym napięcia wynoszą (rys 4b):
^ ci = t CEZ
t C2 = t ces ^ ci = \bez
t-Cl = ^ 3EP
2. Impuls wyzwalający wymusza ujemny prąd bazy tranzystora T2 (poprzez Rj i Q wyprowadzając go z nasycenia i powodując tym samym proces regeneracyjny. Tranzystor Tl ulega nasyceniu, natomiast T2 zatkaniu. Napięcie UC1 obniża się z poziomu wysokiego na niski (skok o Al j = l'CE2 - UCE5). O tyle samo (o Al’j) zmienia się napięcie U32 - na skutek działania pojemności C. Szybki wzrost napięcia na bazie uprzednio zatkanego tranzystora Tj w wyniku przerzutu regeneracyjnego może nastąpić tylko do poziomu U3EP określonego przez przewodzenie zlacza Baza-Emiter (skok o AU,). Napięcie UC2 podnosi się o taki sam skok AU,.
3. Tuż po przerzucie
a) napięcie U32 podnosi się podnosi się do stanu ustalonego w wyniku działania biernego procesu ustalania się napięcia na bazie tranzystora zatkanego.
b) dalszy wzrost napięcia UC2 związany jest z przeładowaniem kondensatora przyspieszającego C
W wyniku zastosowania obciążenia pojemnością C kolektora zatykanego tranzystora, uzyskany sygnał ma czas trwania zbocza narastającego kilkadziesiąt razy większy od czasu zbocza opadającego. Przy nasycaniu się tranzystora napięcie na kondensatorze C nie ulega bowiem zmianie i nie płynie przezeń prąd ładowania.