60177 skanowanie0005 (155)

Egzamin z Elementów Elektronicznych 2010.02.04

Zad. 5. (10 p. maks.) Tranzystor MOS z kanałem typu n ma napięcie progowe V_Tn = 0,5V oraz współczynnik /?„ = fi_n •W/L - 10 mA/V². Określić wartość chwilową składowej zmiennej napięcia dren-źródło v*(/) w układzie jak na iys. 5 dla małych częstotliwości. Pojemność C_z można uważać za zwarcie dla składowej zmiennej.

e(t) =

1 mV'Sin(<Dt).

Rys. 5

kip

mm

i< 4, tU yr+cJ,. ^

| 0^ f\

ymmmms

■ f

WM - \J

msKm m

\j ,    c_M <. * < t n WWbi

i) WP ~²⁰