64396 spektroskopia018

36

Rys. 14. Przebieg współczynnika odbicia GaAs z uwidocznieniem szczegółów struktury otrzymany z pomiarów (linia przerywana) oraz obliczony teoretycznie na podstawie struktury pasmowej GaAs przedstawionej na rys. 15 [1]

Rys. 15. Struktura pasmowa GaAs obliczona metodą pseudopotencjału [1]

Należy zwrócić uwagę, że przejścia optyczne w pobliżu przerwy energetycznej są niewidoczne w widmie odbicia. Wynika to z niewielkiej wartości funkcji łącznej gęstości stanów dla przejść w punkcie T w porównaniu z przejściami spełniającymi warunek (3.26) poza tym punktem.

Monokrystaliczne półprzewodniki, zwłaszcza o małym stopniu zdefektowania, cechuje ostra struktura przejść optycznych zarówno absorpcji podstawowej, jak i wysokoenergetycznych wzbudzeń widocznych w widmie współczynnika odbicia. W miarę pogarszania się jakości materiału, spowodowanej wzrostem zdefektowania od fazy polikrystalicznej aż do amorficznej, obserwujemy poszerzenie się przejść optycznych, zanik struktury niektórych maksimów aż do rozmycia się głównych maksmimów i krawędzi absorpcji.