SSSR?** UImm«ihi vjmm * ih#vhi^ih umtedpii^ śltekiMwiuS||B
Wprowadzenie iU» kryształu genuami lub kuemu HWwi^lkluh domteMWłl f (np, I atom domieszki na UF alomów pśtaąwtjdbikfu powoduje powstanie * nowych lokalnych poziomów eneigeiyyżuyylt W palmie zahionionsm /ssan%* ^ Biiomami dodatkowymi Jąko domieszki Stosuje My pifefwiastkj IH Uih V grupy układu okresowego.
W przypadku domieszki pieiwiastku pięgiowaimsełowegu (\\n fbsłot antymon, arsen) atom domieszki wbudowuje 8ię w slee krystaliczną wiążąc sm t su siedmmi atomami ezterow artośeiowego germanu (lub krzemu), pt/y c/vm piąty "elektron pozostaje nie związany? stanowiąc poihtn dtin&fowy, lecący w paśmie zabronionym, blisko pasma pizewoduletwa (Ryn 11, v. str 80) Do przejścia elektronu z poziomu donorowego bo pasma pt zew odhietwa potrzebna jest znacznie mniejsza energia (rzędu setnyeh elektronowmlta) uit z pasma wntcncvjncgo Zatem już w temperaturze otoczenia elektrony pochodzące z domieszek łatwo prze dostają się do pasma przewodnictwa i liczba elektronów w tym paśmie znacznie wzrasta, a więc elektrony stają się większościowymi nośnikami ładunku lakie domieszki, będące źródłem swobodnych elektronów', nazywa się donorowymi, zaś domieszkowany półprzewodnik określa się jako nadmiarowy, lub typu u (neuatiyc).
Natomiast w przypadku domieszki pierwiastka trójwartościowego (np. bar. ind. gai) atom również wbudowuje się do sieci krystalicznej, lecz występuje brak jednego elektronu w wiązaniu i iwor/y się poziom akceptorowy, leżący
I