80808 P1010014 (14)

energetycznie zwano podstawowy* lub walencyjnye, a wytaro - dozwolony* lub przewodnictwa.

Rys.13.2. Dodnonysiarowy rozkład onorgli potencjalnej elektronu 1 sodel paasowy kryacallcznago ciała stałego:

o) passo podstawowe; b) przarwa zabroniona; e) paaao przewodnictwa

Reasuwujęc, istnienie paaa anargatycznyeh aozna wytłuaa -czyć ailnya oddziaływania! zownętrznych alaktronów danego etosu z zewnętrzny*! alakcronaai sęsitdnlego atoau. a za ich podrad -nictnaa za wazyatklał innysi zewnętrznymi alakcronaai znajdujj-cyai ai« w kryaztala.

^/rainego dowodu na iatniania petsowtj atruktury obsedzo -nych alaktronaal poziowów anargatycznyeh dostarczają aidaa eni-tyjna promieni rentgenowskich. BoabardujfC kryształ alaktronaal o dutyeh energiach, oloktrony nożowy uwolnić = nojgłębiej położonych pozlosów atomowych (z powłok K.L itp.). ‘./skutek tego ao-&• zachodzić przejście z zewnętrznych powłok na powłoki we -antfzna. ponieważ ta ostatni- nie ag Jut całkowicie zapełniona. Przejście ta daję węskla dyskretna linia widaowt z wyjętklea jednaj lub dwdch linii szerokich; ęooznrzortlo odpowiada różnicy energii rzędu kilku elektronowoltów. Nojrozeędniojszya wyjaś -m

płonica togo faktu Jest przypitania poszerzonej linii przejścia jednego z zewnętrznych elektronów na powłok* aawnętrzn*, a!e oznacza to, te poziony energetyczne zewnętrznych aljt: tronów nla ag dyskretno, lecz tworzę paano. Analogicznie widsa absorpcyjne proalani rentgenowskich dostarczaj* doSwiadczeWse dowodu na istnienie struktury passowej niooboedzonych poztoeós tntrge -tycznyeh.

O teepereturze T • O K pttso walencyjna ciała stałego jest całkowicie zapełniona alaktronaal, netceiest passo przeodolc . twa Jest całkowicie pusta.

13.1.2. Półprzewodniki saaolftne

Ciał* stało ze względu na ich właściwości elskrrycm* dzu-H«y na trzy grupy:

1)    przewodniki,w których stany zapełnione sęsUćuję btttc-4rodnio ze stanami pustyni (np. setalth

2)    izolatory, w których najaniejaza energetyczno odległość eltdzy o tanimi zapełnionyoi aiektronaai i puaryri rwana p-ttną energetyczny (6_fl) Jest duża. tzn. większa niz 2 «v 'np. dla diseencu wynosi ona 5,A eV);

S) półprzewodniki, w których przerwo energetyczno jait miajaza niż 2 eV (np. dla krzeou wynosi 1,1 eV). la rysunku 18.3 przedstawiono acheaatycznls struktury psiwnę tych aateriałów oraz ich obsadzenie elektronasi w tesperaturza tara bezwzględnego.

D wytszych tewperaturech wskutek oddziaływania elektrowós z taraicznyal drganiami sieci krysztełu część z nich noża uzyskać anarglf wyacerczojgco duży by przejść z passa walencyjnego io passa przewodnictwa i brać udział w przewodnictwo prędu elektrycznego■ Aby elektron uczestniczył w przewodnictwie Pf|^^u •ltktrycznego susi pobierać energię od przyłożonego z zewnętrz pola elektrycznego, a to Joot Bozliwe tylko wówczas gdy a»j -dzl# alf on w paśalo przewodnictwa. Elektrony takie nozywaty iNobodnysl, gdyż nogę poruszać się po całya krysztale.

Wydajność opisanego termicznego procesu wzbudzania elak -tronu de pasta przewodnictwa bardzo silnia zalazy od wartości przsray anorgetycznej t

229