Img00154

158

Tablica 3.6-1

Energie jonizacji domieszkowanego germanu i krzemu

Domie-	Akceptor/donor	Energia jonizacji, eV
szka		Ge	Si
B	A	0,0104	0,045
Al	A	0,0102	0,057
Ga	A	0,0108	0,065
In	A	0,0112	0,160
p	D	0,0120	0,044
As	D	0,0127	0,049
Sb	D	0,0096	0,039
Bi	D	-	0,069

3.7.    W półprzewodnikach typu p (ang. positive) większościowym nośnikiem ładunku są dziury, a domieszki pierwiastków z III grupy układu okresowego o trzech elektronach walencyjnych (B, Al, Ga, In) wprowadzone do czystego germanu lub krzemu nazywane są domieszkami akceptorowymi. Przewodnictwo elektryczne ma wtedy charakter przewodnictwa dziurowego.

3.8.    Wprowadzenie atomów domieszkowych powoduje powstanie dodatkowych poziomów energetycznych.

a)    b)

Rys. 3.8-1. Model pasmowy półprzewodnika domieszkowego

W przypadku półprzewodnika typu n, piąty elektron walencyjny atomu domieszkowego słabo związany z atomem ma większą energię niż pozostałe elektrony walencyjne, a jego poziom energetyczny W_d leży w paśmie zabronionym, poniżej dolnej granicy pasma przewodnictwa W_n (rys. 3.8-la). Tak więc elektron domieszki donorowej może zostać przeniesiony do pasma przewodnictwa kosztem niewielkiej