14698 Slajd18 (120)

Laser na podłożu GaN

CBW Unipress PAN

Unipress" laser stnicture fabi icated on bulk GaN substratę ^

unosił

i/AuccrdAd GaN Mg 0.1 jem.

AIGaN Mg 0 32 firn. 7% Al

G^N Mg 01 /cm,

AIGaN Mg 180A InGaHOaN MQW5.10x GeN Si 0 l /cm.

■ AIGaN Si 0 45/zm. 7%A1

• Jrf3aN:Si 0 l/zm.5%ln

GaN Si 05/cm

GaN bifc 100/cm

C0|2pąLSupjB6.it_