188 189

188

rzy przerzutnlk, połączony z liniami bitowymi poprzez układy bramkujące

oraz Tg, Tg. Zapis i odczyt odbywa się podobnie Jak w komórce bipolarnej.

Bardzo istotne Jest to, te podczas odozytu zawartość opisanych komórek nie ulega zmianie (Hondastrućtive readout = NDRO). Informacja zapisana w takiej pamięci pozostaje at do nowego zapisu lub wyłączenia zasilania.Dla porównania, katdorazowy odczyt z pamięci ferrytowej Jest niszczący i wymaga ponownego wpisania odczytywanej informacji, czyli tzw. regeneracji.

Z kolei pamięć ferrytowa nie Jest ulotna, tzn. jej zawartość nie zmienia się przy zaniku zasilania.

Wadą pamięci statycznej Jest stosunkowo duty pobór mocy (co najmniej 0,1 mW/bit), wynikający stąd, te Jeden z tranzystorów przerzutnika zawsze przewodzi. W związku z tym, niektóre pamięci scalone mo&j} przebywać w tzw. stanie oczekiwania (Standby), gdy nie są aktualnie odczytywane ani zapisywane. W stanie tym zasilane są znacznie niższym napięciem. Radykalnym posunięciem Jest również budowa komórek pamięciowych - zarówno bipolarnych Jak i 1I0S - przy utyciu tranzystorów komplementarnych. Z braku miejsca nie będziemy Ich Jednak omawiali.

5.10.2. Pamięci dynamiczne RAK

W pamięciach dynamicznych Informacja zapamiętywana Jest poprzez stan naładowania kondensatora(ów) obecnego(ych) w każdej komórce. Koncepcyjny schemat komórki dynamicznej i obwodów towarzyszących przedstawiony Jest na rys. 5*74, na którym dla uproszczenia pominięto linie adresowe. Zapis następuje z chwilą zwarcia klucza , co powoduje naładowanie lub rozładowanie kondensatora C, po czym klucz zostaje rozwarty. Ze względu naup^w ładunku konieczne Jest cykliczne, zazwyczaj co 2 ms, odświeżanie (Refresh) Informacji poprzez kolejne zwieranie kluczy Kg, Ky Łj i rozwarcie ich w

	Ki	h	*3
IAP1S	1	0	0
ODCWT	J	i	ż
otswittunE	i	i	z

O • OTWARtY

(.1.3 ■ KOLEJNOŚĆ UMYKANIA

Rys. 5.74. Zasada działania jednobitowej komórki pamięci dynamicznej

odwrotnej kolejności. Te same operacje na kluczach wykonywane są podczas odczytu, z tą różnicą, że dotyczą one Jedynie wybranej komórki (lub zespołu komórek tworzących wybrane słowo), podczas gdy odświeżanie odbywa się Jednocześnie we wszystkich komórkach danego wiersza matrycy pamięciowej .

Spośród wielu możliwości realizacji komórek dynamicznych, na rys. 5-75 pokazano dwie najczęściej stosowane.

Rys. 5.75. Typowe komórki dynamiczne: a) 4-tranzystorowa, b) 1-tranzyslo-

rowa

Głównym elementem komórki z rys. 5«75a Jest przerzutnlk dynamiczny,powstały ze statycznego przerzutnika L!0S (rys. 5>73b) przsz usunięcie tranzystorów obciążających Tj i T_ą. Jeden z tranzystorów lub J, wirowadza-ny Jest w stan przewodzenia pod wpływem napięcia ńa pojemności włanuoj bramki, a nie napięcia drenu drugiego z tranzystorów. Z,u-agi na proces odświeżania, konieczny Jest dostęp do linii bitowych już po wybraniu v.ie-_ sza. Odśnieżanie Jest'bardzo proste, gdyż polega na wymuszeniu 3 = 3 = h we wszystkich komórkach wybranego (^ = H) wiersza. Dzięki dzielnikom napięciowym Tj, T., i Tg, Tg następuje.doładowanie właściwej pojemności.

Komórka 4-tranzystorowa wykorzystywana jesz w szybkich pamięciach o jemności 1k. Vi pamięciach o większej pojemności, wymagających v;iększ;;o