72186 P1000130 (2)

1.3.2. Przewodzenie samoistne

Już w normalnej temperaturze pokojowej 20°C prawie wszystkie elektrony w półprzewodniku przenoszą się z pasma walencyjnego do pasma przewodzenia i zerwane zostają połączenia atomów w siatce krystalicznej.

Każdy elektron walencyjny, który staje się elektronem swobodnym, pozostawia w paśmie walencyjnym wolne miejsce nazywane dziurą. Wobec tego ciągłe tworzą się pary nośników ładunku. Ze względu na niedostatek ładunku ujemnego dziura stanowi ładunek dodatni

W wyniku tworzenia się par nośników ładunku półprzewodnik nabiera zdolności do przewodzenia samoistnego. Zależy ona od rodzaju materiału półprzewodzącego i od temperatury. Jeżeli dziura pochwyci elektron swobodny, obydwa nośniki ładunku znikają. Elektron swobodny staje się związanym elektronem walencyjnym. Takie odtwarzanie powiązań krystalicznych nazywa się rekombinacją.

Zdolność przewodzenia samoistnego półprzewodników wzrasta wraz z temperaturą.

Tę zależność właściwości półprzewodnika od temperatury wykorzystuje się w termistorach. Warstwy półprzewodzące, w których występuje głównie przewodnictwo samoistne, nazywane są pólprzewodnflcami samoistnymi typu I. Takie warstwy typu f znajdują się ffp w diodach PIN złożonych z warstw P4-N.

Prąd w półprzewodnikach tworzą elektrony i dziury. Wolne elektrony poruszają się-w stronę bieguna dodatniego, a dziury w stronę ujemnego bieguna dołączonego^

Tworzenie się par nośraków ładunku w krysztale półprzewodnika następuje także pod wpływem światła- Powstające w ten sposób przewodnictwo samoistne nazywa się wewnętrznym efektem

btoeiektrycznym(k*orezyskxy)    ' ■    m ]