76650 P1000134 (2)

1.4. Właściwości elementów półprzewodnikowych 1.4.1. Warstwa zaporowa

W miejscu zetknięcia dwóch stref półprzewodnikowych o różnych rodzajach przewodzenia powstąje złącze półprzewodnikowe PN Wskutek cieplnych ruchów cząsteczek nośniki ujemne (elektrony) przedostają się ze strefy N do strefy P zaś nośniki dodatnie (dziury) ze strefy P do strefy N [dyfuzja). Towarzyszy temu rekombinacja W warstwie granicznej swobodne elektrony stają się elektronami walencyjnymi, a dziury znikają. W strefie granicznej miedzy półprzewodnikami P i N nie występują żadne ruchome nośniki ładunku.

Po odpłynięciu elektronów ze strefy granicznej półprzewodnika N powstaje w nią ładunek dodatni a w strefie granicznej półprzewodnika P ładunek ujemny. Te ładunki w obrębie warstwy granicznej powodują, że na złączu PN powstanie tzw. napięcia dyfuzji.

Zapobiega ono dalszemu przenikaniu nośników do warstwy granicznej.

Warstwę graniczna staje się warstwę zaponmą

Ne złączu PN w półprzewodnikach powstaje warstwa zaporowa.