88310 Laboratorium Elektroniki cz I 0

156

•    W zakresie małych wartości prądu drenu l_D sytuacja ulega odwróceniu, a znak współczynnika zmienia się na dodatni.

•    Pomiędzy tymi obszarami istnieje jeden wspólny punkt przecięcia się charakterystyk l_D = f(U_Gs), w którym to punkcie wartość prądu drenu nie zależy od temperatury*

•    W tranzystorach PNFET i MOSFET z kanałem zubożanym następuje wzrost bezwzględnej wartości napięcia zatkania Up.

•    W tranzystorach MOSFET z kanałem wzbogacanym następuje zmniejszenie się bezwzględnej wartości napięcia progowego U_T.

7.3. Tematy sprawdzające

1.    Dlaczego elementy elektroniczne wykonane z materiałów półprzewodnikowych są wrażliwe na wpływ temperatury?

2.    Jaki jest wpływ koncentracji nośników swobodnych na właściwości elektryczne półprzewodnika?

3.    Jaki jest wpływ temperatury otoczenia na przebieg zjawisk transportu nośników w półprzewodniku? Czy wartość natężenia prądu przepływającego przez próbkę tego półprzewodnika zmieni przebieg opisywanych zjawisk?

4.    Jakimi parametrami charakteryzujemy wpływ temperatury na materiał półprzewodnikowy? A jakimi złącze p-n? Proszę podać definicje oraz wyjaśnić ich sens fizyczny.

5.    Jak objawia się wpływ temperatury na zjawiska przebicia w obszarze złącza p-n?

6.    Czy polaryzacja złącza p-n ma wpływ na jego termiczne właściwości? Jeżeli tak. to jaki?

7.    Omówić wpływ temperatury na właściwości temperaturowe tranzystorów bipolarnych.

8.    Porównać wpływ temperatury na właściwości diod prostowniczych, uniwersalnych i Shotky’ego.

9.    Wyjaśnić wpływ temperatury na wartość współczynnika wzmocnienia prądowego p w tranzystorach bipolarnych.

10.    Przedstawić i omówić sposób pomiaru temperaturowych parametr zystorów na stanowisku laboratoryjnym.

11. Wyjaśnić, dlaczego inny jest wpływ temperatury na właściwości tranzystorów unipolarnych normalnie załączonych i normalnie wyłączonych.

7.4. Aparatura pomiarowa

Na stanowisku znajduje się specjalne urządzenie umożliwiające nagrzewanie badanych elementów do określonej temperatury oraz utrzymywanie tej temperatury przez czas niezbędny do dokonania odpowiednich pomiarów. Pomiary przeprowadza się w oparciu o zestaw zasilaczy, woltomierzy i amperomierzy.

7.5. Program ćwiczenia

1.    Określenie wpływu temperatury na właściwości diod prostowniczych, uniwersalnych i Shotky’ego:

•    Zaproponować i zestawić odpowiedni układ pomiarowy.

•    Wykonać pomiary wartości napięcia Uf dla badanych diod spolaryzowanych w kierunku przewodzenia, przy dwóch uzgodnionych z osobą prowadzącą ćwiczenie wartościach prądu lp.

•    Wykonać pomiary wartości prądu wstecznego l_R tych samych diod, dla napięć Ur uzgodnionych z osobą prowadzącą ćwiczenie.

•    Wszystkie pomiary wykonać dla temperatury pokojowej oraz dla temperatur: 30, 40, 50, 60, 70°C.

2.    Określenie wpływu temperatury na właściwości diod stabilizacyjnych:

•    Zaproponować i zestawić odpowiedni układ pomiarowy.

•    Wykonać pomiary wartości napięcia stabilizacji Uz badanych diod stabilizacyjnych odpowiednio spolaryzowanych przy stałej wartości prądu Iz = 5 mA.

•    Zdjąć charakterystykę prądowo-napięciową wybranej diody stabilizacyjnej dla kierunku zaporowego.

•    Wszystkie pomiary wykonać dla temperatury pokojowej oraz dla temperatur: 25, 30, 35, 40, 45, 50°C.