skanowanie0008 (25)

E=15V

4.13

4.13

Oblicz Uyjy{t) (w przybliżeniu), jeśli «w*(0 = 10sin(c*) mV. Obliczenia przeprowadź dla średnich częstotliwości.

Oblicz maksymalną wartość )wzmocnienia Komm, jeśli współczynnik wzmocnieniar'rpfądowego tranzystora wynosi /7=100. Dla jakich wartości rezystancji R& Ro wzmocnienie jest maksymalne?

(a) Oblicz maksymalną wartość wzmocnienia    jeśli /=15

mA, a współczynnik wzmocnienia prądowego tranzystora wynosi >9=100. Dla jakiej wartości Rc wzmocnienie jest maksymalne? (b) Dla jakiej wartość prądu I wzmocnione jest największe?

Oblicz rezystancję wyjściową R^ wzmacniacza i wzmocnienie skuteczne o w zakresie średnich częstotliwości, jeśli napięcie Earły’ego i małosygnałowy współczynnik wzmocnienia prądowego w punkcie pracy wszystkich tranzystorów wynoszą: U_A = 100 V i hu = 88. Przyjmij Uaf= 5 V, R = 8,6 kO, R_g = 600 fi.

Uduuwlaiki

4.1. /«•/,

=>/„=|mA, V_gs=I_dR, Ąv, gjag

1 —

u_e

=—mS, Rwy— Rd ⁼ 4

3 kil, k_uo* KmRhWRo" -6, układ z automatyczną polaryzacją bramki, zakres pracy tranzystora: nasycenie, bo V_UI) “ ~(Rdd + /₀/?₀)=-(-15 + 9)=6V ^>U_P (= 4V), wzmacniacz OS (wspólne źródło).

4.2. fcUs/Rs* 3mA, U_GS=AJ_S =-3V, I_DSS    =48mA, g_m ““^{= 6mS}’

Kr -gJto{\Ro= -24,    + R£ = -240/11 s -22, R_v=Ro^m 5kO, tranzystor n-JFET pracuje w

zakresie nasycenia, bo U od - Uqs~ Uds ~ Uqs- {Edd - Id(Rd + Es)) *“ -3- (30-6*3) - -15V < Up, wzmacniacz WS (OS).

4.3.    = r_b-_c\\R_B= r_b',= 1 WMKś-~SmiRc ll^„)——— = -200,Ic= gmUr^l-4 mA, Ua= Uce⁼ U_Cc~

Ke+R_g

I<Rc= 4 V, P= Idh = IcRĄE-U_BS) = 160, h_2le = g_mr_iV = 160.

4.4. Wzmacniacz: WB (OB), (a) Ko = S_m^Rc = -^—R_c =¹⁰⁰ >    (0 = *«o^Mw« (0 ^{= 1} «“(**)^v, (b) r_we =

ijU_T

\lg_m = 50 O, *„₀ = Ko—MBwU» “»v(0 “= Ks&ftf) = 91 sin(fflT) mV.

^rwe^+Rg

4.5.    Wtórnik emiterowy: Ko =1 ^^(t)=«,*.(*) = 10sin(2n#)mV.

4.6.    Ib = U_B!Rjf= 50 pA, I_B = (E- U_B — UbbI/R^ 4,15 mA, Ic⁼ Ie—Ib — 4,1 mA, h₂\= P~ IcH^ 82, g_m= Ic/Ut - 164 mS, ry_e = h₂\lg_m=d,5 kO, r_w,= ry_e + (A₂₁+1)/?e|!/?₀s M* + (k₂i+l)R₀= 4,65 kO, Ko ■

^s (*21+1 )RJr_m = 0,89, R_m=    3,77kO,    m KoRJ{R_m+Rg) = 0,79. ^ *s||[(*V.+

jyiiy/(*M+i)] s fo*_a+ ^)/(/j₂i+i)= 12 a

4.7.    Wzmacniacz dwustopniowy OC-OB. R_we nstopnta(oB) ^m l/gnin - 50 O (zad. 4.4), Ka ~ Ko(obJ^cusO(oc)^=: 100*0,79 = 79 (zad. 4.4 i 4.6), u^f) = W_g(0 = 0,79sin(a*) V.

4.8.    7e = 2 mA, U os = 8,7 V, /o = 8 mA, £/ns-10,7V, C/_Gł) = -2 V < l/j> -» tranzystor w zakresie nasycenia,

ffmMos ⁼ 4 mS, Kr -gmuasRo = -4 (wzm. ze wspólnym źródłem: OS), Rwe £ /?clk«, = 4,6 k£2,    £ (t/< +

£/_Cfl)//c = (^ + Ugs)IIc = 54,4 kfl,    r*| |i?_D S%» 1 KI

4.9.    Id = /nss = 10 mA, t/ns = 10V, I_c- 5 mA, f/cg = 15V -> tranzystor w zakresie aktywnym, g„TB = 200 mS, k_uo = -g^,B,T&Rc||5o=—100 (wzm. ze wspólnym emiterem: OE), Rwe=RdiVdA\^rb’e 3 0,5 kO, /y_e£ h₂\lg_m — lk O, Rwy^m fc«||/?c 3 Rę ~ 1 kO.

4.10.    U od *= -Ucz ⁼ —11 V < Up —> tranzystor w zakresie nasycenia, Id —{E — Ucz )IRd — 9 mA, Ucs ⁼ —IdRs ■ -5 V, /oss = 7^/(1 - UgsIUp)² <= 64 mA, g_ffl = -2/ass(l - U_GslUp)IUp = 6 mS, wzm. ze wspólną bramką: OG, *u0 - gmRD\\R₀* 4, R_we = C/_w<//_w = -UgJi-UgJRs-g_mu_v) =l/(l/i?s+ g_m) = JłsIKl/gJ 3 128 O, r«||J?_c 3 flc-lkn*

4.11.    U od ^m —{E — Ucz) — “10 V ś Up —> tranzystor w zakresie nasycenia, Id — UczJRd — 10 mA, U as ⁼ —IdRs

m -6 V, Idss - 7o/(l - UadUp)² = 40 mA, g* = -2W1 - U_GSIU_P)IUp = 4 mS, wzm. ze wspólnym drenem: OD, Ko ■ gm/?s||/?fy(g_m/?s||/?o + 1) = 2/3,    ⁼ Ra — lMfl, Rwy ⁼ UroJIzw ⁼ [Ł/ive^ttoUobc=Rj] Hzw —

[U^gmRsKgnRs +1 )V(g_mUwe) = Rs/{1 + geRs) = M(Ugm) 3 167 Cl.

4.12. Uas¹"UbiT-3,IV, I_D- 1 mA, g_mFCT = 3,87 mS,/_c=/--fe = 1 mA,g„_TO = 40mS.nst. -wzm. OD: *moii ■ u_wJitwy\ - gmrn^c - 224, fWi - l/g«TD" 250. I st. - wzm. OD:    ■ u^/w** s getmfrz +