222 (86)

- 222

Rodzaje diod półprzewodnikowych i ich zastosowania

(złącze skokowe), n < 0 (złącze hiperboliczno-skokowc). Zależność Cj(U) jest wyrażona wzorem (4.44), przy czym

m

1

n+2

(4.45)

Nachylenie charakterystyki pojemnościowo-napięciowoj wzrasta zatem w miarę, jak współczynnik n przybiera coraz większe wartości ujemne. W przypadku n = -3/2 wykładnik m — 2 i wówczas częstotliwość rezonansowa obwodu L_s, Cj

/= -~-L-~ U

2tt \/L_sCj yCj

jest liniowo zależna od napięcia. Taka zależność może być bardzo dogodna do wielu zastosow-ań układowych.

Parametry teclmiczne kilku typowych warikapów i waraktorów zestawiono w tabl. 4.5.

Przykłady zastosowań    4.5.2

Diody pojemnościowe znajdują zastosowanie przede wszystkim w układach automatycznie strojonych obwodów rezonansowych, wzmacniaczach i generatorach parametrycznych, powielaczach częstotliwości, przełącznikach sygnałów mikrofalowych.

-	LR	--R	_FRR_ t
(V J	l—^		i i _1-	_	t

Rys. 4.41

Ilustracja zasady działania wzmacniacza parametrycznego: a) układ; b) przebieg sygnału wzmacnianego; c) przebieg ładunku w kondensatorze; d) zmiany pojemności w funkcji czasu; e) zmiany energii w funkcji czasu