225 (55)

- 225

Diody tunelowe

Najważniejszą zaletą wzmacniacza parametrycznego jest niski poziom szumów, gdyż elementy reaktancyjne są bezszumne. Jedynym źródłem szumów są składowe re-zystancyjne, reprezentujące straty w rzeczywistych elementach reaktancyjnych. Szumy są szczególnie małe przy pracy wzmacniacza w zakresie niskich temperatur. Na przykład obniżenie temperatury od pokojowej do 77 K (ciekły azot) powoduje kilkakrotne zmniejszenie szumów. Wzmacniacze parametryczne pracują w zakresie mikrofalowym, między innymi są stosowane w systemach łączności sztucznych satelitów Ziemi (3,7...4,2 GHz).

Orientacyjne parametry techniczne jednostopniowego wzmacniacza chłodzonego w ciekłym azocie są następujące:

Częstotliwość sygnałowa    4,17 GHz + 30MHz

Częstotliwość napięcia pompującego Wzmocnienie Pasmo 3-decybelowe Temperatura szumów⁰ Stabilność współczynnika wzmocnienia w krótkim czasie w długim czasie Moc źródła pompującego

23 GHz 20 dB 60 MHz <45 K

<    0,1 dB

<    0,3 dB 20 mW

Diody tunelowe    4.6

Diody tunelowe są to silnie domieszkowane złącza p⁺-n⁺, które wyróżniają się tym, że ich charakterystyka prądowo-napięciowa w kierunku przewodzenia ma odcinek o ujemnej rezystancji dynamicznej (rys. 4.43).

Rys. 4.43

Charakterystyka prądowo-napięciowa diody tunelowej

Pod względem funkcjonalnym diody tunelowe można by zaliczyć do grupy diod impulsowych lub (i) mikrofalowych, gdyż są one stosowane głównie w układach przełączających oraz we wzmacniaczach i generatorach mikrofalowych. Jednak specyficzne właściwości tych diod usprawiedliwiają wyodrębnienie grupj^r diod

¹¹ Temperatura szumów⁷ jest związana ze współczynnikiem szumów F zależnością T = 290 K (F-l).

15 Przyrządy półprzewodnikowe...