230 (63)

230 (63)



- 230


Rodzaje diod półprzewodnikowych i ich zastosowania

właściwości ma InSb. Diody tunelowe wykonane z InSb charakteryzują się ponadto najmniejszymi szumami własnymi, lecz ich wadą jest niska temperatura pracy (poniżej 20°C).

Pod względem technologii i konstrukcji diody tunelowe są to złącza epiplanarne lub stopowe, zmontowane w oprawkach typowych dla przyrządów pracujących w zakresie mikrofalowym (rys. 4.47).

\ /

Rys. 4.47

Typowe obudowy diod tunelowych

4.G.2


Przykłady zastosowań

Teraz zostaną omówione dwa proste przykłady ilustrujące możliwości zastosowań diody tunelowej w układach impulsowych i generatorach mikrofalowyc

Układ przerzutnika z diodą tunelową i jego analizę graficzną przedstawiono na rys. 4.48.

Statyczny punkt pracy diody jest określony przez źródło polaryzacji U2 i rezystor obciążenia RL. Źródło sygnału sterującego eg może dawać przebieg sinusoidalny albo inny przebieg napięcia przemiennego, na przykład trójkątny lub tra-pezoidalny. Zadaniem diody tunelowej w tym układzie jest uformowanie szybkich skoków napięcia w chwilach, gdy sygnał sterujący przekracza pewne wartości progowe.

Zasadę kształtowania impulsu o stromych zboczach wyjaśnia analiza graficzna, przedstawiona na rys. 4.48b. Wartości progowe napięcia -wejściowego oznaczono jako U,, U2, a odpowiadające im proste obciążenia — narysowane linią przerywaną — przechodzą przez punkty 2, 6‘ na charakterystyce I(U) diody tunelowej. Prosta obciążenia dla stanu spoczynkowego, czyli dla napięcia Uz, przecina charakterystykę I(U) diody tunelowej w trzech punktach. Jednak tylko jeden z dwu „zewnętrznych” punktów (1 lub -5) może być stabilnym punktem pracy. (Gdyby rezystancja obciążenia była mniejsza niż moduł ujemnej rezystancji dynamicznej diody, to prosta obciążenia przecinałaby charakterystykę I(U) tylko w jednym punkcie i byłby to stabilny punkt pracy). W chwili gdy napięcie wejściowe przekracza wnrtość progową U t, następuje raptowne przeniesienie punktu pracy z 2 do 3. Natomiast przy obniżeniu napięcia wejściowego poniżej wartości U, następuje raptowne przeniesienie punktu pracy z 6 do 7. Z tymi dwoma przeskokami punktu pracy są związane bardzo strome zbocza impulsu napięcia v.ukształtowanego na diodzie. Przebieg impulsu ud w pozostałych okresach czasu można z łatwością prześledzić zgodnie z charakterystycznymi punktami oznaczonymi na rys. 4.48b cyframi od 1 do 8.

Pełniejszy obraz zjawisk zachodzących w omawianym obwodzie uzyska się, przedstawiając diodę tunelową w postaci schematu zastępczego, zawierającego nieliniowe


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
220 (64) 220 Rodzaje diod półprzewodnikowych i ich zastosowania a) I p*.^CL Si-n* T 3b) jh Rys.
222 (86) - 222Rodzaje diod półprzewodnikowych i ich zastosowania (złącze skokowe), n < 0 (złącze
224 (68) - 224Rodzaje diod półprzewodnikowych i ich zastosowania wane bardziej rozbudowane układy wz
226 (61) - 226Rodzaje diod półprzewodnikowych i ich zastosowania tunelowych jako elementów o wspóln
228 (66) Rodzaje diod półprzewodnikowych i ich zastosowania- 228 Część urojona impedancji Z zawiera
232 (64) - 232Rodzaje diod półprzewodnikowych i ich zastosowania źródło prądowe I(U) —odpowiadająco
234 (60) - 234Rodzaje diod półprzewodnikowych i ich zastosowania Ujemne rezystancje uzyskuje się w d
236 (57) - 236Rodzaje diod półprzewodnikowych i ich zastosowania rezystora równoważnego rezystancji
ZNAKI STALI: Grupa 1. Stale oznaczane wg ich zastosowania i właściwości mechanicznych i fizycznych.
Diody półprzewodnikowe i ich zastosowanie 1.    Złącze pn 2.
CCI20110406007 ;: zzaje złączy półprzewodnikowych i ich zastosowanie iciwme a źródŁ _ aktujem
Obrazv0 314 Rudział a mierze także od warunków ich zastosowania i właściwości psychicznych uczniów.
50 -lecie Polskiej Radiolokacji twa mikrofalowych przyrządów półprzewodnikowych, oraz ich zastosowań

więcej podobnych podstron